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采用美国滨州大学研发的AMPS-1D软件,模拟了TCO与非晶硅界面势垒对TCO/a-Si:H(p+)/a-Si:H(i)/c-Si(n) /a-Si:H(i) /a-Si:H(n+) /TCO双面HIT异质结太阳电池光伏特性的影响。结果表明太阳电池的TCO/p+前接触界面势垒(对于电子)越高,越易形成欧姆接触,且电池的短波响应增强,使电池性能变好。模拟还发现,n+ /TCO背接触界面势垒(对于电子)越低,电池性能越好。若背场重掺杂,在背接触势垒小于等于0.5ev时,电池的转换效率不会受到背接触势垒的影响;若背场低掺杂,在背接触势垒很小的情况下,也能达到与重掺杂相同的转换效率。 相似文献
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布局分析和态密度结果均表明,Ba8Si46 化合物中Ba原子6s轨道上电子一部分向5d轨道转移,另一部分向笼上Si原子3p轨道转移.对于Ba8Au6Si40、Ba8Cu6Si40分析结果表明,由于Cu (Au) 向Si转移部分电子,导致了Cu (Au)-6c与Si-24k原子间成键由共价键趋向离子键.带结构的分析表明三者均为弱金属,其中Ba8Cu6Si40和Ba8Au6Si40的导电能力更强一些. 相似文献
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运用AMPS- ID程序研究了a-SiC:H/a-Si1-rGer:H/a-Si:H薄膜太阳能电池的光电特性.分析了a-SiC:H/a-Si1-xGes:H/a-Si:H薄膜太阳能电池短路电流、断路电压、填充因子和光电转化效率随Ge成分(或含量)x和a-Si1-sGes:H层厚度的变化.计算结果表明x=0.1和a-Si1-xGex:H厚度h=340 nm时,转化效率达到最大值 9.19%.另外,讨论了各种因素对太阳能电池性能的影响. 相似文献
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在广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)下,采用第一性原理方法研究CuXSe2 (X=B,Al,Ga,In,Tl)晶体结构的稳定性和力学性质。分析CuXSe2 (X=B,Al,Ga,In,Tl)结构的晶格常数,弹性常数,体积模量,剪切模量,杨氏模量,泊松比,对比各材料的力学性质变换规律。计算结果表明,根据力学稳定判据,在零温零压下,CuXSe2 (X=B,Al,Ga,In,Tl)的晶体结构是力学稳定的。经过同主族替换,发现晶格常数越大, 体弹性模量就越小。 这可以解释为X 离子半径逐渐增大, 晶格常数逐渐增加, 晶体的可压缩性也增加。另外,CuTlSe2的剪切模量最小,不容易发生剪切形变。CuBSe2的杨氏模量最大,其刚度最高。由Pugh经验关系可知CuXSe2 ( X=B,Al,Ga,In,Tl)均属于韧性材料。 相似文献
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采用AMPS-1D程序模拟分析了前后接触少子复合速率以及吸收层的厚度和少子迁移率对非晶硅/单晶硅异质结太阳电池光伏性能的影响.模拟发现,与太阳电池的前接触少子复合速率相比,背接触少子复合速率对太阳电池光伏性能的影响更为显著.吸收层单晶硅的厚度对太阳电池光伏性能的影响要受到单晶硅隙间缺陷态密度以及背接触少子复合速率的制约.当背接触复合占主要地位时,吸收层越厚电池的转换效率越高;当吸收层隙间缺陷复合占主要地位时,电池的转换效率在某一厚度处达到峰值.吸收层的少子迁移率对太阳电池性能的影响,也要受到背接触少子复合速率的制约.当背接触复合速率较低时,少子迁移率越大,电池的转换效率越高;当背接触复合速率较高时,少子迁移率越小,电池的转换效率越高. 相似文献
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The AMPS-ID program is used to investigate electrical and optical properties of the thin film solar cell of a-SiC:H/a-Si1-xGex:H/a-Si:H. The short circuit current density, open circuit voltage, fill factor and efficiency of the solar cell are investigated. The efficiency of the solar cell is 9.19% as thickness of a-Si1-xGex:H is 340 nm with Ge content x=0.1. In addition, we also discuss the factors which affect solar cell efficiency. 相似文献
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采用基于密度泛函理论和平面波赝势技术的CASTEP程序对Zn1-xBexO合金电子结构和光学性质进行了计算.当0≤x≤1,其带隙从0.963 eV变化到7.293 eV.分析了晶格畸变和能带间排斥效应对带隙的影响.当Be含量x=0.125,0.25,0.375,0.5,0.625,0.75时,a/b轴压应变控制着带隙变化;当x=0.875,1时,c轴压应变控制着带隙变化.能带间的p-d排斥影响价带顶变动,Γ1v与Γ1c之间排斥影响导带底变动.这些能带间的排斥效应被用来分析Zn1-xBexO带隙变动.另外,也分析了Zn1-xBexO介电函数虚部ε2.
关键词:
带结构
光学性质
应变
排斥 相似文献