用热分析技术测定碳化硅粉体对聚乙二醇的吸附量

用热分析技术TG-DTA(thermal gravimetric and differential thermal analysis)测定浆料中碳化硅粉体对分散剂聚乙二醇PEG(polyethylene glycol)的吸附量. 结果显示PEG在Ar气氛中411.5 ℃时完全分解; 碳化硅表面分散剂PEG的吸附量随着pH的增大而下降, 在较高pH下大多数分散剂仍存在于溶液中; 分散剂PEG的吸附量通过公式(1)进行计算. 该方法简单方便, 可以应用于测量氧化物或非氧化物吸附紫外-可见分光光度法不能测定的一些有机聚合物分子.     

尖晶石对β／β″—Al2O3膜相组成和离子导电性的影响

以wag／P”－AI。O。为固体电解质的CO。、SO。、NO。等气体传感器的研究已有很多报道［‘－‘］，多采用的是个AI。O。结构的电解质。AI刀。和p”－AI刃。的结构具有一定的相似性，但后者具有更高的迁移离子浓度和更开放的晶体结构，表现出更好的离子导电性‘’‘．由于卢”－AI。O。为介稳结构，需要加入如Li。O、MgO等作为稳定剂才能稳定存在．以Li对稳定的产”－al。O。烧结较容易，P”－AI。O。相转化率高，但以MsO为稳定剂制备的”－AI刃。其显微结构和抗吸湿性能更为优越．LJLi对和MgO共同稳定的产”－AI。O。可以…     

非硅体系介孔材料的合成*

本文主要从合成角度考察了几种主要类型的非硅介孔材料的研究进展, 从总体发展方面综述了金属氧化物、金属、硫属化物以及碳等材料的介孔形态材料的合成研究。全文回顾了自非硅体系介孔材料最早被合成以来的成果,选择介绍了早期较重要且有代表性的研究成果,详细地述评了其中突破性的进展,并重点介绍了各个体系近年来最新的研究进展。     

Effect of Density and Surface Roughness on Optical Properties of Silicon Carbide Optical Components

The effect of density and surface roughness on the optical properties of silicon carbide optical components is investigated. The density is the major factor of the total reflectance while the surface roughness is the major factor of the diffuse reflectance. The specular reflectance of silicon carbide optical components can be improved by increasing the density and decreasing the surface roughness, in the form of reducing bulk absorption and surface-related scattering, respectively. The contribution of the surface roughness to the specular reflectance is much greater than that of the density. When the rms surface roughness decreases to 2.228nm, the specular reflectance decreases to less than 0. 7% accordingly.     

K2NiF4型Eu2—xSrxCuO4稀土复合氧化物的合成、结构及还原特性

研究了具有K2NiF4型结构的Eu2-xSrxCuO4复合氧化物合成,物相结构及其还原特性。发现用络合凝胶法制备时,Eu2-xSrxCuO4复合氧化物的生成温度为1100℃左右,粉末XRD表明Eu2-xSrxCuO4复合氧化物属四方 晶系,空间群为I4／mmm,其晶胞参数随x的增加而增加,当x≥0.7时,多余的Sr不能进入晶胞而呈游离的SrO形式存在,同时在物相中也存在一定数量的CuO物相,Eu2-xSrxCuO4系列复合氧化物对CO和甲烷的催化氧化反应的活性在x较小随着x的增加而增加。     

碳化硅多孔陶瓷的制备及烧结研究

采用一种新型的造孔剂酵母粉（主要化学成分是C，H，O，N，P，S等元素）制 备碳化硅多孔陶瓷。对碳化硅多陶瓷烧制过程中化学成分的变化进行了详细的研究 ，发现浆料的分散性与甘油添加量之间存在一定的关系。选用Al_2O_3作为烧结助 剂，随着添加量的变化，碳化硅多孔陶瓷的烧结行为也有明显的不同，Al_2O_3最 佳添加量为5% - 10%。酵母粉的添加量也直接影响碳化硅多孔陶瓷的气孔率和抗折 强度。此外，烧成温度和保温时间对烧结也有很大的影响，烧成制品的化学成分随 烧成温度的不同而不同。     

高固相含量羟基磷灰石浆料的制备及凝胶浇注成型

为提高羟基磷灰石(HAP)浆料在水分散体系中的稳定性, 获得良好的固化性能, 采用二甲基丙烯酰胺(DMAA)作为单体, N,N’-亚甲基双丙稀酰胺(MBAM)作为交联剂, 偶氮二咪唑啉丙烷(AZIP)为引发剂, 研究了不同分散剂含量和不同固相含量HAP浆料的流变性. 使用自制的亚微米级粉体原料, 制备了固相含量高达55%(体积分数)的稳定浆料, 并成功实现了浇注成型. 获得相对密度高达57.5%的素坯, 其抗压强度、抗弯强度最高值分别达到(37.0±6.5)和(13.8±1.0) MPa. 经1250 ℃无压烧结2 h, HAP陶瓷具有优良的烧结性能, 相对密度为98.7%, 抗弯强度和弹性模量分别达到了(85.3±9.9) MPa 和(133.0±10.2) GPa.     

Eu2掺杂SiAION基复相荧光粉物相组成及发光性能的研究

采用高温固相法合成了由Ca-α-SiAlON:Eu2+(α相)和β-SiAlON:Eu2+(β相)两相组成的Ca0 25-xSi9.9 Al2.1O16 N14.4:xEu2+系列荧光粉,研究了Eu掺杂浓度及烧结条件对其物相组成及发光性能的影响.结果表明,在0.5 MPa氮气气氛下,1700℃保温1h的产物中α相质量分数随x值增大先减小后增大,于x =0.025时达到最小值27.0％；产物中α相含量随烧结温度升高而增大,在1900℃时达到55.2％.此体系荧光粉的激发和发射强度与α相含量成正比例关系,且发射峰位置随α相含量增多发生红移.     

高折射率Nd,La共掺杂氧化钇透明陶瓷的光谱性质及其Judd-Ofelt理论分析

采用液相法和真空烧结技术制备了2.0%Nd,3.0%La共掺杂Y2O3透明陶瓷样品.样品晶粒均匀,大小在22μm左右,在晶粒和晶界处都未见气孔.元素线扫描结果表明,Nd离子和La离子均匀地分布于陶瓷晶粒和晶界处.并测试了样品的吸收光谱和荧光光谱.样品在主吸收峰821nm处的吸收截面为4.3×10-24m2,主荧光发射峰位于1078nm处,实测荧光寿命为0.287ms.采用Judd-Ofelt理论计算了Nd3+在掺La氧化钇陶瓷晶体场中的强度参数Ωλ(λ=2,4,6),自发辐射概率、辐射寿命、荧光分支比等光谱参数.通过F-L公式计算得到2.0%Nd,3.0%La共掺杂Y2O3透明陶瓷中Nd3+的4F3/2→4I11/2跃迁对应的受激发射截面大小为2.0×10-24m2.结果表明,La离子的掺入可以调节氧化钇透明陶瓷的晶体场,有助于制备符合实际需求的固体激光器材料.     

Ag-Cu-Ti连接SiC/SiC接头界面反应和界面结构

三元Ag-Cu-Ti活性钎料连接常压烧结SiC陶瓷。通过XRD(X-ray diffraction)、EPMA(electron probe microanalysis)和TEM(transmission electron microscopy)研究了SiC/Ag-Cu-Ti界面反应和界面结构。结果表明:焊料中的活性元素Ti与SiC发生化学反应在界面处形成连续致密的反应层,界面反应产物为TiC和Ti5Si3,整个界面形成SiC/TiC/Ti5Si3/Ag-Cu-Ti焊料的结构,其中TiC层晶粒大小约为10 nm左右并且连续分布,而Ti5Si3层晶粒大小差异大(100~500 nm)且不连续,这种差异是由于TiC的高成核率和Ti5Si3的低成核率而产生的。