蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管

以全蒸镀方法在真空室内一次性制备了正装结构的全有机并五苯薄膜场效应晶体管。正装结构全蒸镀法有利于简化工艺制备程序,缩小器件尺寸,提高集成度。制备的绝缘层厚度仅为50nm的全有机薄膜场效应晶体管,器件的工作电压降至10V,相同电压下饱和输出电流有了明显提高。筛选适当的有机绝缘材料,改善全有机薄膜场效应晶体管有源层/绝缘层的界面性能,使阈值电压几乎降至0V,场效应迁移率提高了3倍多,输出饱和电流也有了明显的提高。     

Sol-Gel法制备NASICON材料及表征

采用溶胶-凝胶(Sol-gel)法制得了固体电解质NASICON材料.用X射线衍射、红外光谱、拉曼光谱、核磁共振等方法对材料的结构、组成进行了分析,并对材料的电导率进行测量,证明材料具有快离子导电特性.通过对不同烧结温度下材料性质进行比较,发现900℃烧结温度下得到的材料具有更好的晶相结构和电导率.     

Sn0.55Ti0.55O2固溶体的溶胶-凝胶法制备、表征及其热稳定性研究

采用溶胶-凝胶法制备了Sn0.55Ti0.55O2固溶体．用X射线衍射(XRD)、差热分析(DTA)和红外(IR)技术对材料的结构和热稳定性进行了分析表征．固溶体的热稳定性与起始反应温度有关，在40℃水浴温度下制备的凝胶经1000℃烧结，发生了相分解，出现了富Sn和富Ti相，而在80℃水浴温度下制备的凝胶经1200℃烧结也不发生相分解，仍以Sn0.55Ti0.55O2相存在，而且用差热分析也得到了同样的结论．     

Improved Performance by a Double-Insulator Layer in Organic Thin-Film Transistors

Organic thin film transistors based on pentacene are fabricated by the method of full evaporation. The thickness of insulator film can be controlled accurately, which influences the device operation voltage markedly. Compared to the devices with a single-insulator layer, the electric performance of devices by using a double-insulator as the gate dielectric has good improvement. It is found that the gate leakage current can be reduced over one order of magnitude, and the on-state current can be enhanced over one order of magnitude. The devices with double-insulator layer exhibit field-effect mobility as large as 0.14cm^2/Vs and near the zero threshold voltage. The results demonstrate that using a proper double insulator as the gate dielectrics is an effective method to fabricate OTFTs with high electrical performance.     

表面气氛处理对气敏元件特性的影响

选择适当气体对气敏元件进行处理是气敏元件表面修饰的重要方法，本文利用ＳＯ２对Ｈ２Ｓ气敏元件进行了不同条件的处理，使得气敏元件的灵敏度和选择性得到了明显的改善。     

Sn0.5Ti((0.5)O2固溶体的溶胶-凝胶法制备、表征及其热稳定性研究

采用溶胶-凝胶法制备了Sn_0.5Ti_0.5O₂固溶体.用X射线衍射(XRD)、差热分析(DTA)和红外(IR)技术对材料的结构和热稳定性进行了分析表征.固溶体的热稳定性与起始反应温度有关,在40℃水浴温度下制备的凝胶经1000℃烧结,发生了相分解,出现了富Sn和富Ti相,而在80℃水浴温度下制备的凝胶经1200℃烧结也不发生相分解,仍以Sn_0.5Ti_0.5O₂相存在,而且用差热分析也得到了同样的结论.