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2篇

出版年

1993年	1篇
1989年	1篇

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利用反应离子刻蚀(RIE)技术刻蚀激光器腔面,获得集成式沟槽耦合腔AlGaAs/GaAs激光器,在室温下实现CW稳定单模运转。单模半宽约为0.23nm,边模抑制比达19dB,模间距约2.5nm,单模运转双腔阈值电流为52mA。相似文献

油页岩含油率测定的影响因素 总被引：1，自引：0，他引：1

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