化学传感器阵列的计算机数据分析方法和发展趋势

化学传感器阵列是由一系列具有非特异性、低选择性、交叉敏感性和稳定性的化学传感器组成的分析仪器.作为利用化学传感器阵列进行准确可靠的定性和定量分析所不可或缺的条件,合适的模式识别和多元校正等数据处理方法已经成为化学传感器阵列的有机组成部分.该文着重介绍了常用的化学传感器阵列数据的计算机处理方法,并且展望了该领域的发展趋势.     

微型柔性红外传感器的制作研究

利用微机电系统(MEMS)技术,制作了一种128×1元柔性红外传感器阵列;首先在硅片衬底上生长一层PDMS柔性材料,然后再在柔性材料上利用MEMS技术制作红外传感器阵列.采用六轴微小器件试验台进行扭弯试验.在传感器的两端施加一定的力使其弯曲,然后测传感器不同单元的电阻.试验结果表明:所制作的柔性传感器阵列能经受多次弯扭,电阻值基本没有变化,柔性传感器在经过弯扭3 300次后,传感器本身的柔性材料并没有断.     

二元光学元件——微透镜

介绍了二元光学的产生和发展,着重阐述了二元光学元件之一的微透镜的设计、制作和测试方法以及它们的主要应用。     

基于共晶的MEMS芯片键合技术及其应用

叙述了MEMS封装中共晶键合的基本原理和方法,分析了Au-Si、Au-Sn、In-Sn等共晶键合技术的具体工艺和发展,并对其应用作了介绍.     

新型VO_2相变薄膜的制备

采用离子束溅射和退火工艺制备了一种新的相变型薄膜VO2。此种薄膜的方块电阻为120～148kΩ,电阻-温度关系曲线显示该薄膜的相变温度接近室温。SEM分析表明,所制备的薄膜致密均匀。样品的明场透射电子显微图像显示,制备的薄膜是多晶薄膜,晶粒尺寸达到纳米数量级。XRD分析表明,该薄膜的成分中除了含有VO2外,还含有V2O5,说明该工艺制备的是含有VO2的混合物,而不是纯VO2薄膜。     

基于TMS320C6711 DSP的红外热成像非均匀性校正技术

阐明了应用DSP来处理热图像的基本电路。分析了非均匀性产生的原因,并根据非均匀性校正数学模型,在DSP图像处理平台上运行非均匀性校正算法,使得红外热图像成像质量获得了明显的提高。     

PET/PTT纤维潜在卷曲的动力学分析

主要研究了PET/PTT复合纤维在热处理过程中的潜在卷曲释放和卷曲增强的过程及机理.采用热机械分析方法考察了PET/PTT复合纤维的PET和PTT组分的热收缩过程,揭示了PET/PTTT卷曲释放的机理.通过PET和PTT纤维的等温收缩动力学分析,确定了PET/FTT卷曲形态达到稳定所需的时间.     

氧化钒薄膜的制备及其光电特性研究

采用一种新工艺在Si和Si3 N4衬底上制备了性能优良的氧化钒薄膜 ,并对其微观结构和光电特性进行了研究。测试结果表明采用新工艺所制备的氧化钒薄膜在相变前后电阻率变化达到 3个数量级 ,红外透过率在相变前后改变达到 6 0 %。     

1.3μm高增益偏振无关应变量子阱半导体光放大器

采用低压金属有机化学气相外延法 (LP MOVPE)生长并制作了 1 3μm脊型波导结构偏振无关半导体光放大器 (SOA) ,有源区为基于四个压应变量子阱和三个张应变量子阱交替生长的混合应变量子阱 (4C3T)结构 ,压应变阱宽为 6nm ,应变量 1 0 % ,张应变阱宽为 11nm ,应变量 - 0 95 % ;器件制作成 7°斜腔结构以有效抑制腔面反射。半导体光放大器腔面蒸镀Ti3 O5/Al2 O3 减反 (AR)膜以进一步降低腔面剩余反射率至 3× 10 -4以下 ;在 2 0 0mA驱动电流下 ,光放大器放大的自发辐射 (ASE)谱的 3dB带宽大于 5 0nm ,光谱波动小于 0 4dB ,半导体光放大器管芯的小信号增益近 30dB ,在 12 80～ 1340nm波长范围内偏振灵敏度小于 0 6dB ,饱和输出功率大于 10dBm ,噪声指数 (NF)为 7 5dB。