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3.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引：1，自引：1，他引：0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
4.
本文叙述异构分布计算系统的结构和特点，指出互操作是构成开放式异构成开放式异构分布计算系统的关键所在，而采用面向对象概念则是进行这种开放式系统设计的必然趋势。 相似文献
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介绍了以单片机８０３１为微处理机的加工精度统计分析仪的技术特性、工作原理、系统的硬件结构以及软件设计。 相似文献
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