排序方式: 共有62条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
随着苏丹1/2/4区块的深入开发,为了加快开发主力油层,提高原油产量,降低钻井成本,GNPOC在此区块布置水平井开发任务。所开发的区域主要分布于Heglig,Munga,Simbir,Bamboo区块,油层所在是Zaqar和Bentiue地层。此层位具有高渗透,地层温度高,易塌、气窜等复杂问题,尤其是Heglig和Munga地区井壁坍塌严重。为此,根据地质资料、井身结构和对水平井注水泥的技术要求,科学合理设计施工工艺,优选出适合此地区固井施工的冲洗液和隔离液,特别是经过努力实践,开发出了新型膨胀水泥浆体系,此体系具有高强度、低失水、无析水、防气窜之功效。结合使用哈里伯顿CPT—Y4大功率固井车,精确计量和自动密度控制,该体系水泥浆目前已在7口水平井施工中得以应用,均为优质井。现正在被大量使用,此体系的开发,解决了该固井技术难题,创造了中国固井在海外首次水平井作业一次成功的历史记录,具有较高的经济和社会效益。 相似文献
2.
3.
室温直流反应磁控溅射制备透明导电In2O3:Mo薄膜 总被引:1,自引:2,他引:1
在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3:Mo薄膜.研究了溅射压强中氧气百分含量[P(O2)]为8.0%~18.0%时对薄膜光电特性以及表面形貌结构的影响.结果表明,薄膜的光电性能对溅射压强中P(O2)非常敏感.分析显示P(O2)决定了薄膜中的氧空位含量和载流子浓度,从而影响了薄膜的光电特性.原子力显微镜观察表明,适量的P(O2)条件下可以获得平均粗糙度为0.3 nm、颗粒均匀、表面平整的薄膜.室温制备的IMO薄膜在可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高达82.1%,电阻率低至5.9×10-4 Ω·cm. 相似文献
4.
5.
6.
讨论了基于柔性PI基底上的底栅型TFT器件工艺,通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状。本文TFT器件是基于氧化物IGZO为有源层,栅绝缘层采用Si3N4/SiO2双层结构,采用两次补偿曝光、干刻方式消除干刻引入的下切角形状,有效解决了薄膜沉积引入的断线风险。实验结果表明,经过SEM断面观察,干刻后双层结构taper角度适合TFT器件后续沉膜条件,柔性基底上制作的TFT器件迁移率达到14.8cm2/(V·s),阈值电压Vth约0.5V,亚域值摆幅SS约0.5V/decade,TFT器件的开关比Ion/Ioff106。通过此方法制作出的器件性能良好,满足LCD、OLED或电子纸的驱动要求。 相似文献
7.
8.
应用铜模真空吸铸法制备直径达5mm的棒状新型Zr57Nb5Cu154Ni12.6Al10大块非晶样品.X射线衍射检测证明样品完全为非晶态.通过等温示差扫描量热法(DSC)测试了Zr57Nb5Cu15.4Ni12.6Al10大块非晶的晶化动力学效应,同时研究了大块非晶合金的室温单轴压缩变形和断裂行为.结果表明:Zr57Nb5Cu15.4Ni12.6Al10块体非晶晶化过程具有动力学效应;其室温压缩变形过程主要表现为弹性变形;断裂面与压缩方向约呈45°,断口呈现典型的脉状花样. 相似文献
9.
通过在烧结过程中调节气氛气压改变烧结压力来制备高性能ITO靶材,采用磁控溅射生长ITO薄膜,采用X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜等对ITO薄膜进行表征并对靶材表面进行观察。结果表明烧结压力略高于标准大气压(0.105 MPa)工艺条件下制备的ITO靶材表面的结瘤更少。磁控溅射制备的薄膜均处于非晶状态,薄膜的表面粗糙度由0.35nm降低至0.28nm,薄膜的平均光学透过率均高于84%。改善工艺后的ITO靶材制备的ITO薄膜刻蚀残留非常少。在优化的工艺条件下,靶材质量得到有效改善,透明导电氧化物薄膜性能得到提高。 相似文献
10.