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1.
为解决新场上沙溪庙组致密低渗透气藏气井利用稳定试井求取产能的实际问题,采用二项式单点产能预测方法。为保证它在现场实际应用中的可行性,不仅利用压恢解释成果来计算α值,而且讨论了二项式系数的影响因素。分析7人为气井在开采过程中,产能方程中二项式系数A、B主要受偏差系数Z、粘度μg的影响而变化,因此只要知道未来某一时刻稳定的产量、井口压力,可用原有的稳定产能来预测气井未来任一时刻的地层压力。与稳定试井计算结果对比表明,两者之间的误差较小,说明此方法在新场上沙溪庙组低渗透气藏中的应用的可行的。 相似文献
2.
采用大电流交流脉冲对非晶Fe78B13Si9合金进行了去应力退火。初步探讨了电脉冲加热对加热速率和该合金内应力释放、退火脆化以及最终软磁性影响的基本规律。结果表明:电脉冲加热可以得到远高于常规退火的加热速率,选择合适工艺参数可使非晶合金内应力释放90%,软磁性(H_c和B_s)达常规退火后的95%以上,与此同时使合金的延性(断裂应变ε_f)维持在0.9以上,从而有望实现非晶合金磁性与延性的合理配合。 相似文献
3.
4.
5.
综述了新型粘结永磁材料纳米复相钕铁硼的研发意义、组织特点、磁性能提高的基本原理、界面交换耦合强度判据、制备技术要点、最新成分、新制备技术及磁性能,并分析了存在的问题和推广应用时应注意的事项。 相似文献
6.
利用密度泛函理论体系下的第一性原理平面波超软赝势法,研究Al单掺杂和S单掺杂以及Al/S共掺杂金红石相TiO_2的能带结构、态密度和光学性质。结果表明:Al单掺杂导致禁带宽度减小为1.79eV,并且在价带上方形成了一条杂质能带;S单掺杂导致费米能级上移靠近导带,直接带隙减小为0.816eV;Al/S共掺杂导致能带结构中出现了3条杂质能带,直接带隙约0.841eV,杂质能级主要由Al原子的3p轨道和S原子的3p轨道组成。Al/S共掺杂后使TiO_2的吸收带产生红移,在可见光区具有较大的吸收系数,能够增强电子传输能力和抑制电子空穴对复合。 相似文献
7.
以熔盐法合成各向异性的片状单相SrBi2Nb2O9 (SBN) 陶瓷粉体作为模板,采用模板晶粒生长(TGG)技术成功得制备出织构化SrBi2Nb2O9 (SBN) 陶瓷.通过SEM和XRD分析了烧结制度及模板尺寸对SBN陶瓷晶粒取向率的影响.结果表明,晶粒取向率随着烧结温度、烧结时间、升温速率、模板尺寸的升高而升高.合理控制制备工艺可获得晶粒取向率为0.89的高度织构化SBN陶瓷.织构化SBN陶瓷的相对体积密度随着模板平均粒径的增加而降低.在高温阶段,片状SBN模板晶粒消耗周围的基体粉体沿着流延方向生长,从而最终得到晶粒高度定向的陶瓷. 相似文献
8.
BBS玻璃掺杂对CLST陶瓷介电性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用传统陶瓷工艺制备了BaO-B2O3-SiO2(BBS)玻璃掺杂的CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(CLST)介质陶瓷,用X-射线衍射仪,扫描电镜及电感-电容-电阻测试仪等对其烧结特性、相结构及介电性能进行了系统研究.结果表明,BBS掺杂能显著降低CLST陶瓷的烧结温度,由1 300℃降至1 100℃.BBS掺杂量为7%(质量比),烧结温度为1 100℃时,CLST陶瓷具有较好的综合介电性能:介电常数εr=62,介电损耗tan δ=0.007,频率温度系数τf=0.82×10-6/℃. 相似文献
9.
快速凝固高强度高导电Cu-Cr合金的组织和性能 总被引:21,自引:0,他引:21
采用单辊快速凝固方法获得了Cu-0.8Cr微晶合金,对淬态及时效处理后合金的 导电性及显微硬度进行了系统研究。研究结果表明:快速凝固Cu-0.8Cr合金经适当的时效 处理,可以在保持高导电率的前提下,大幅度提高合金的硬度。在500℃时效30min,导电率 为82% IACS,显微硬度为HV185。 相似文献
10.