高温氨化合成GaN微晶

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。     

用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究

介绍有源电力滤波器设计中EXB841型绝缘栅场效应晶体管(IGBT)驱动器的驱动原理和电路特点,对IGBT的栅极驱动特性、栅极串联电阻进行了探讨,给出过流保护和过压吸收的有效办法。样机试运行证明此种设计方案可靠、有效。     

成都市水六厂B厂BOT方式建设介绍及启迪(下)

2 13　人孔与存渣斗在主控阀门前设有人孔及存渣斗 ,同时在管道上约 5 0 0～ 10 0 0m之间 ,结合排气阀门也设有人孔 ,2 7km内共设人孔 33个 ,存渣斗 4处。人孔的孔径为 80 0mm。存渣斗设置的目的 ,主要是让管内流动的石子等杂物积留在斗内 ,对主控阀门起保护作用。按理管内不应存在渣物 ,但在过去管道放空检修时 ,存渣斗内确存在渣物。2 14　冲洗排水阀门输水管道在红星斗渠、沱江河、府河、国防河、凤凰河均设置了DN80 0冲排蝶阀 6个 ,其中府河为主要洗管冲排点 ,设有两个冲排阀门。冲排阀门规格的选择 ,主要考虑管道冲洗时的流速 ,应…     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

一种计算气藏动态储量的新方法

本文提出了一种计算气藏动态储量的新方法。使用该方法计算渗透性差、非均质性强的气藏的动态储量，具有较高的准确性。     

MIS原型开发工具PDT2.0

本文概述了研制ＰＤＴ的背景，并详细介绍了设计ＰＤＴ的具体考虑和实现的功能、特点，最后给出了对它的评价。     

一种实用的开关电源电路

本文介绍了目前流行的开关稳压电源及其优点，并提供了一个典型的开关电源电路，可用于工业自动化、国防及通讯设备等需要高品质直流稳压电源的领域，具有较广阔的应用前景。