发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析

用X射线光电子能谱测量了经电解腐蚀后硅片表面的发光物质.发现发光膜中与发光有关的物质为硅氧化合物,其成分与二氧化硅接近,但O/Si小于2,并含有约百分之一数量级的氟,由氩离子刻蚀条件估算发光膜的厚度为微米数量级.随氩离子束的轰击,发光膜的发光强度下降,波长红移. 关键词：     

Minority Carrier Lifetime in As-Grown Germanium Doped Czochralski Silicon

The minority carrier lifetime of as-grown germanium-doped Czochralski （GCZ） silicon wafers doped with germanium concentrations [Ge]=10^16-10^18 cm^-3 is investigated in comparison with conventional CZ silicon samples. It is found that the lifetime distribution along the ingot changes with the variation of[Ge]. There is a critical value of [Ge] = 10^16 cm^-3 beyond which Ge can obviously influence the lifetime of as-grown ingots. This phenomenon is considered to be associated with the competition or combination between the oxygen related thermal donors （TDs） and electrically active Ge-related complexes. The related formation mechanisms and distributions are also discussed.     

白蛋白酸致变性的动态激光散斑研究

利用动态激光散斑的方法研究了白蛋白的酸致变性过程。首先,利用动态散斑理论模拟生成了动态散斑序列图;然后,利用模拟和实验散斑图的时间序列散斑图及其灰度共生矩阵对白蛋白的酸致变性过程进行了分析;接着,又利用灰度共生矩阵的惯性矩和不同阶段的四幅散斑图的平均对比度图对该过程进行了更深入的研究。理论模拟和实验研究结果表明,在白蛋白酸致变性过程中,胶体溶液中的蛋白质微粒的运动由剧烈逐渐变得缓慢;同时,微粒数量减少而微粒尺寸增加。研究表明,动态激光散斑方法是一种实时、快速、有效的研究白蛋白变性过程的新手段。     

多孔硅/多孔氧化铝与PVK复合光致发光特性

用旋涂法实现了多孔硅、多孔氧化铝与聚乙烯咔唑(PVK)的复合,研究了多孔硅／PVK、多孔氧化铝／PVK复合体系的光致发光性能。PL谱的测试发现,多孔硅／PVK复合体系的PL谱同时具有多孔硅和PVK的发射峰。此外,在485nm的位置出现了一个新峰,讨论了这个峰的来源。而多孔氧化铝与PVK复合后,没有产生新的峰。但多孔氧化铝与PVK复合后,由于多孔氧化铝纳米孔的纳米限制效应使PVK的发光峰出现大幅度蓝移。从多孔硅与多孔氧化铝发光机制的不同出发,讨论了多孔硅、多孔氧化铝与PVK复合后产生不同结果的原因。     

Oxygen Precipitation within Denuded Zone Founded by Rapid Thermal Processing in Czochralski Silicon Wafers

Oxygen precipitation within the magic denuded zone （MDZ） founded by rapid thermal processing in Czochralski silicon （CZ-Si） wafers is investigated. After the standard MDZ process, the CZ-Si wafers are further subjected to two specific oxygen precipitation annealing, respectively. It is found that the MDZs in CZ-Si wafers shrunk notably because oxygen precipitation occurs within the MDZs. However, a width of substantial DZ still remains within the wafer. Therefore, it is believed that the outer region of the MDZs, which corresponds to the oxygen denuded zone formed in the course of rapid thermal process and high temperature annealing, is a substantial defect-free zone which acts as the active area for semiconductor devices.     

相位图去包裹方法及其进展

近年来付立叶变换法和相移法在辅助光学测量中得到了广泛的应用,但处理后的相位图一般包裹在[-π,π)间,要获得正确的物理变化信息,需要对原始相位图进行去包裹运算。相位去包裹算法主要有传统算法、分割线算法、最小二乘算法、细胞自动机算法、付立叶变换算法、质量导向图算法等。本文较详细地阐述了几种相位去包裹算法的数学模型和基本原理及其最新进展,分析了各自的优缺点及其适用范围。     

从气体吸附率看范德瓦耳斯气体模型的局限性

利用占据数方法和正则系综理论分别求出了费米气体、玻色气体和范德瓦耳斯气体的化学势,比较了这三种气体与理想气体吸附率的差异.指出:费米气体的吸附率高于理想气体,玻色气体则低于理想气体.存在一个临界温度,高于此温度,用范德瓦耳斯气体描述费米气体不如理想气体模型;低于此温度,用范德瓦耳斯气体描述玻色气体不如理想气体模型.     

4s和4p半核态引入价态(导致杂化指数降低)可以减弱Mon (n=2∽18)团簇的二聚体现象的第一性原理研究

钼团簇因具有独特的结构、电子和物理化学性质,被期待在未来的纳米科技中扮演重要角色,但是它们的基态结构至今还存在争议. 本研究采用粒子群优化(CALYPSO)方法对Mo_n (n=2∽18)团簇的晶体结构进行全局域能量最小化搜索,并结合第一性原理方法进一步优化. 计算表明：当4s和4p半核态不作为价态时,Mo_n (n=2∽18)团簇有明显的二聚体趋势,原子数为偶数的团簇往往是“幻数”团簇,具有较高的稳定性;但是,将4s和4p电子作为价电子后,平均杂化指数H_sp、H_sd和H_pd显著降低,二聚体趋势急剧减弱. 本文报道了Mo_n(n=11,14,15)团簇的新基态结构,证明了半核态对于Mo_n团簇是十分重要的.     

Si基GaN外延层光致发光光谱与二次离子质谱的研究

报道了在Si基上用简便的真空反应法制备出GaN外延层．光致发光光谱测试结果表明不同的生长温度和退火工艺会对GaN外延层的发光特性产生影响,在1050℃下生长的GaN外延层的发光强度高于其他温度下生长的发光强度,退火可以使GaN外延层的发光强度增强．二次离子质谱(SIMS)测试结果表明外延层中Ga和N分布均匀,在表面处Ga发生了偏聚,同时外延层中还存在Si,O等杂质,这使得外延层中背景电子浓度高达1.7×10¹⁸/cm³. SIMS测试结果还表明,在外延生长前采用 关键词：     

Si1-xGex/Si异质结构中热应力对临界厚度的影响

系统分析了Si_1-xGe_x/Si外延生长中热应力对外延生长的影响．假设Si Ge的线膨胀系数是随Ge的组分线性变化的，由此计算出热应变和应变能密度．根据能量平衡原理，当失配应变能密度加热应变能密度等于位错能密度时，外延层达到临界厚度，在People的基础上得出了改进的临界厚度计算公式．理论计算值与People的实验值更相近． 关键词：