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1.
Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively.  相似文献   
2.
在四阳极直流放电装置上,测量并分析了辉光放电的电流-电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明,采用稳流放电模式比稳压放电具有更宽的稳定放电气压和电流范围,能在从1~800Pa的较宽气压范围内实现氦气辉光放电,放电电流可达到500mA左右。随着电极表面亮斑的变化,对于同一气压,在低电流区,放电电压几乎成指数增长;随电流增大,电压的增长速度变缓;对于高的气压,碰撞频率的增大使得电压随电流升高的速率变小。分析表明,放电处于异常辉光区。从放电管的CCD图像可以看出,对于同一放电电流,随气压的升高,等离子体往阴极收缩。  相似文献   
3.
我们利用激光沉积法在斜切的钛酸锶基片上制备了缺氧(110)取向的YBa2Cu3O7-δ薄膜.由于在这种薄膜中的c轴躺在基片的表面上,从而为我们研究沿c方向的某些独特的物理性质提供了便利.在这里我们报道了所测量的在不同温度及磁场下这种薄膜沿c方向的远红外偏振反射谱.结果表明在温度Tc以上,沿c方向运动的载流子浓度很低.由于载流子之间弱的相干性以及较大的热涨落,反射边得到展宽.随着超导的出现,沿着c方向运动的载流子之间的相干性得到加强,这表现为一个在100波数附近等离子体边的出现.磁场下的测量表明磁场对等离子体边的位置影响很小,这种现象与已有的理论预言不相符合,我们认为导致这种现象的原因是超导体中磁通涡旋的钉扎作用.  相似文献   
4.
The dispersion state and catalytic properties of anatase-supported vanadia species are studied by means of X-ray diffraction (XRD), laser Raman spectroscopy (LRS), H2 temperature-programmed reduction (TPR) and the selective oxidation of o-xylene to phthalic anhydride. The almost identical values of the experimental dispersion capacity of V2O5 on anatase and the surface vacant sites available on the preferentially exposed (001) plane of anatase suggest that the highly dispersed vanadium cations are bonded to the vacant sites on the surface of anatase as derived by the incorporation model. When the loading amount of V2O5 is far below its dispersion capacity, the dispersed vanadia species might mainly consist of isolated VOx species bridging to the surface through V-O-Ti bonds. With the increase of V2O5 loading the isolated vanadia species interact with their nearest neighbors (either isolated or polymerized vanadia) through bridging V-O-V at the expenses of V-O-Ti bonds, resulting in the increase of the ra  相似文献   
5.
V2O5/TiO2催化剂表面钒氧物种的分散状态和催化性能   总被引:10,自引:0,他引:10       下载免费PDF全文
用X射线衍射(XRD)、激光拉曼光谱(LRS)、程序升温还原(TPR)和微反评价等手段研究了V2O5在TiO2(锐钛)表面的分散状态和负载型V2O5/ TiO2(锐钛)催化剂的邻二甲苯选择氧化催化性能. 结果表明在TiO2(锐钛)表面V2O5分散容量的实测值(1.14 mmol V/100 m2 TiO2)与TiO2(锐钛) 优先暴露晶面(001)上的空位密度(1.16 mmol/100 m2 TiO2)接近, 这表明分散的钒离子可能键合在TiO2(锐钛)表面的空位上, 与嵌入模型估算结果相符. 当V2O5的负载量远低于其分散容量时, 表面上的钒氧物种主要为孤立的VOx通过V-O-Ti键与载体结合. 随V2O5负载量的增加, 孤立的VOx与其最近邻的钒氧物种(可为孤立或聚合)通过V-O-V键结合, 导致V-O-Ti键的比例降低和聚合钒氧物种的比例增多、表面氧物种的反应活性降低. 虽然V2O5/TiO2催化剂的邻二甲苯选择氧化的活性随负载量增加而增加, 到钒氧物种成单层时达极大, 但按每个钒离子估算的TON(转化数)却随负载量的增加而线性下降. 当V2O5的负载量高于其分散容量时, 增加的V2O5以晶相形式存在, 此时除钒离子的利用率降低外, 还由于晶相V2O5中只有V-O-V存在, 与之相结合的氧离子的活性较与V-O-Ti键合的弱, 邻二甲苯选择氧化的活性随负载量的增加有所下降, 而其TON则更为迅速地线性降低.  相似文献   
6.
This paper reports that polarized far-infrared reflectivity measurements have been done on LiGaO2 single crystal along two crystalline taxes at different temperatures. The temperature dependent frequencies of the longitudinal and transverse optical phonon have been obtained from the real part of optical conductivity and the loss function respectively. A small Drude component is observed at frequency below 300 cm^-1 which could arise from Li ions or oxygen deficiencies. The ionicity of LiGaO2 has been studied from the analysis of the Born effective charge of different ions.  相似文献   
7.
我们发现高超导转变温度Tc(23K)的溅射Nb-Ge膜,都含有一定量的Nb5Ge3相,且Nb/Ge<3。对一般样品,用感应法所测的Tc都低于电阻法所测结果约1—2K,Tc≥22K的量在样品中所占的比例相对来说都比较小。对于只含A15相的薄膜,更显示出具有几个台阶宽的转变曲线,高Tc相含量很少;而对于含有A15相和一定量Nb5Ge3相的薄膜,感应法测量结果是一个较陡且光滑的转变曲线。电子显微镜观察呈现出Nb5Ge3和A15相的有趣的分布。这些结果对于我们以前提出的Nb5Ge3相对高TcA15相有稳定作用的观点是一个进一步的证明。  相似文献   
8.
许波 《物理通报》2004,(10):25-27
介绍中学物理演示实验的类型,提出设计的基本要求及探讨实验教学的基本程序。  相似文献   
9.
用椭偏术研究与接触介质有关的贵金属的介电函数   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
为了研究接触介质对金属光学性质的影响,实验中使用具有不同折射率的梯形棱镜作为衬底,将金和银蒸发到棱镜底部,用椭偏术分别测量了薄膜在金属-空气、金属-衬底界面的介电函数.结果表明:无论在Drude区,还是在带间跃迁区,金属-衬底界面处薄膜介电函数不仅与金属-空气界面处的测量值不同,而且随衬底折射率改变而改变.在固体接触条件下获得的结果与其他作者在液体接触条件下获得的结果相一致,但尚难被现有机制所解释. 关键词:  相似文献   
10.
赵柏儒 《物理》1998,27(12):705-706
文章简要介绍了高温超导体中的相分离现象及其研究现状,同时报道了作者对La2CuO4体系中的相分离及电荷有序现象的研究工作.  相似文献   
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