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利用分子动力学方法模拟了碳原子与碳氢薄膜的作用过程。探讨了不同入射能量对碳原子与碳氢薄膜相互作用的影响。模拟结果表明碳原子与碳氢薄膜作用会在表面形成碳薄膜。随着入射能量的增加,碳薄膜厚度变薄。在碳薄膜中碳原子的成键形式主要为Csp2-Csp2和Csp2-Csp3,随入射能量的增加,碳原子键价结合形式从Csp2-Csp2向Csp2-Csp3转化。     

级联弧放电氦等离子体特性研究

采用另加偏压的单阴极弧氦放电直线等离子体装置对氦等离子体的基本特性进行了研究。对氦轴向输运规律做了描述并与光谱测量数据做了定性地比较。实验结果表明,氦等离子体的电子温度与电子密度均随放电电流、约束磁场的增加而增加。氦原子与氦离子的辐射光谱随放电电流、偏压、磁场的变化规律进行了测量分析,同时氦离子对钨靶积分辐照效应进行了观察。这些结果不但提供了氦等离子体的基本特性,对于研究氦离子与面向等离子材料相互作用导致产生气泡、肿胀、脆化损伤等的评估,特别是对将来伴有(n, α)反应时具有一定的参考价值。     

Selective excitation of molecular mode in a mixture by femtosecond resonance-enhanced coherent anti-Stokes Raman scattering spectroscopy

Femtosecond time-resolved coherent anti-Stokes Raman scattering (CARS) spectroscopy is used to investigate gaseous molecular dynamics. Due to the spectrally broad laser pulses, usually poorly resolved spectra result from this broad spectroscopy. However, it can be demonstrated that by the electronic resonance enhancement optimization control a selective excitation of specific vibrational mode is possible. Using an electronically resonance-enhanced effect, iodine molecule specific CARS spectroscopy can be obtained from a mixture of iodine-air at room temperature and a pressure of 1 atm (corresponding to a saturation iodine vapour as low as about 35 Pa). The dynamics on either the electronically excited state or the ground state of iodine molecules obtained is consistent with previous studies (vacuum, heated and pure iodine) in the femtosecond time resolved CARS spectroscopy, showing that an effective method of suppressing the non-resonant CARS background and other interferences is demonstrated.     

样品温度对CF3+ 与Si表面相互作用影响的分子动力学模拟

利用分子动力学模拟方法研究了不同温度下CF_x层对CF⁺₃刻蚀Si表面过程的影响.由模拟数据可知,温度对C和F的沉积有显著的影响,通过提高样品的温度,物理刻蚀得到了加强,而化学刻蚀被减弱.同时,随着温度的升高,Si的刻蚀率相应增加.刻蚀产物中的SiF,SiF₂的量随温度的增加而增加,SiF₃的量与基体温度没有直接的关系.Si刻蚀率的增加主要是通过提高SiF,SiF_{2相似文献}   

合情推理的结论惟一吗？

首先我们对数学高考命题的公平原则都是毋庸置疑的.笔者认为高考命题者所编制的开放性高考试题主要集中在设计反映数、形和数形运动的变化;题目类型以研究型、探索型和开放型为主.目的是以开放式的设问背景测量学生观察、试验、联想、猜测、归纳、类比、推广等思维活动.命题时会十分注意试题背景与试题解答的多样性和公平性,强化探究能力考查,命题立意主要考查利用归纳推理和合情推理的方法对问题进行猜测求解.而2010年福建     

F原子与SiC(100)表面相互作用的分子动力学模拟

本文采用分子动力学模拟方法研究了F原子(能量在0.5—15 eV之间)与表面温度为300 K的SiC(100)表面的相互作用过程. 考察了不同能量下稳定含F反应层的形成过程和沉积、刻蚀过程的关系以及稳定含F反应层对刻蚀的影响. 揭示了低能F原子刻蚀SiC的微观动力学过程. 模拟结果表明伴随着入射F原子在表面的沉积量达到饱和,SiC表面将形成一个稳定的含F反应层. 在入射能量小于6 eV时,反应层主要成分为SiF₃,最表层为Si-F层. 入射能量大于6 eV时,反应层主要成分为SiF. 关键词： 分子动力学 刻蚀 能量 SiC     

316L������ھ�̬Һ̬��еĸ�ʴ��Ϊ�о�

利用脉冲激光诱导击穿光谱仪(LIBS)结合SEM、EDX和维氏硬度(HV)等分析手段,分析了316L不锈钢在350℃的液态锂中静态腐蚀500h后的腐蚀特性.微观形貌分析表明:样品存在较明显的晶间腐蚀,其腐蚀层厚度约为2.7μm.硬度分析表明:腐蚀后表面硬度值约HV234.72,约是腐蚀前硬度值的0.78倍.LIBS组分分析表明:经液态锂腐蚀后的样品表面Ni、Cr等元素含量相对减少;在被腐蚀区域Li元素含量随激光击打深度的增加而减少,而Ni、Cr等元素含量与之近似呈成正比递增;母材区Li元素的渗透深度约3.5μm,约是焊缝区的0.6倍.     

与导数有关的函数题的统一解法

与导数有关的函数题是各省市高考年年必考的题目,形式层出不穷,且多以压轴题的身份出现许多成绩中上的考生往往处理完第一问后,对二、三问或是目的性不强的匆忙求导形成“一堆烂账”、或是手到眼不到写了一堆后发现走进了“死胡同”。     

低能Cl原子刻蚀Si(100)表面的分子动力学模拟

使用分子动力学模拟方法研究了不同能量(0.3—10 eV)的Cl原子对表面温度为300 K的Si(100)表面的刻蚀过程.模拟中采用了Tersoff-Brenner势能函数来描述Cl-Si体系的相互作用.模拟结果显示,随着入射Cl原子在表面的吸附达到饱和,Si表面形成一层富Cl反应层.这和实验结果是一致的.反应层厚度随入射能量增加而增加.反应层中主要化合物类型为SiCl,且主要分布于反应层底部.模拟结果发现随初始入射能量的增加,Si的刻蚀率增大.在入射能量为0.3,1和5 eV时,主要的Si刻蚀产物为Si 关键词： 分子动力学 Cl刻蚀Si 分子动力学模拟 微电子机械系统