Hopfield neural network and its applications on image edge detection

A method of image edge detection using the Hopfield neural network (HNN) is proposed in this paper.The image edge parameters are introduced in detail, and the energy function of HNN is given based on the edge parameters. Tests on the image edge detection show that images detected by the proposed method have good edge closeness and true edge, at the same time it has good anti-noise performance. The image edge detection using HNN is better than that obtained by some other edge detection operators.     

热容模式下激光介质的动态光学畸变

 开展了热容模式下激光介质动态光学畸变研究，初步分析了温度梯度、光弹效应及介质端面变形对整个波前畸变带来的影响，并将光学畸变转化为谐振腔损耗，数值模拟了热容激光器输出功率随时间的变化规律，模拟结果表明：当激光器工作温度低于400 K时，由粒子数玻耳兹曼分布引起的功率下降可以忽略，动态热效应是实验中热容激光器输出功率随时间快速下降的原因。     

金橙G螯合形成树脂分离富集地质样品中的微量贵金属

主要研究了金橙Ｇ螯合形成树脂分离富集地质样品中金、铂、钯的最佳实验条件。在柱高大于１６ｃｍ，０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ介质的样品溶液以小于或等于０．５ｍＬ／ｍｉｎ流速过柱，用０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ的３％硫脲溶液以小于或等于０．５ｍＬ／ｍｉｎ流速洗脱金、铂、钯（和铑），都能同时定量富集。用火焰原子吸收光谱法测定，回收率均在９５％￣１１０％之间。经地质样品加标准回收实验，结果令人满意。证明这种以磺酸基     

反应原料组成对单分散苯乙烯微球粒径及其分布的影响

采用分散聚合工艺制备微米级单分散聚苯乙烯微球，并对分散聚合反应的内部影响因素(分散稳定剂、助稳定剂、单体、引发剂)进行了研究．结果表明，随着分散稳定剂和助稳定剂用量的增加，聚苯乙烯微球的粒径减小；随着单体和引发剂用量的增加，聚苯乙烯微球的粒径增大．分散稳定剂和单体用量是影响聚苯乙烯微球粒径分布的两个主要内部因素．     

高效液相色谱-电感耦合等离子体质谱法同时测定化妆品中5种含溴防腐剂

建立了同时测定化妆品中苯扎溴铵、2-溴-2-硝基-1,3-丙二醇、5-溴-5-硝基-1,3-二■烷、甲基二溴戊二腈、溴氯芬5种含溴防腐剂的高效液相色谱-电感耦合等离子体质谱法(HPLC-ICP-MS)。样品经含0.1%甲酸的甲醇溶液超声提取后,采用Agilent Eclipse-C_(18)(150 mm×4.6 mm,5μm)色谱柱分离,以0.1%甲酸-甲醇为流动相进行梯度洗脱,ICP-MS测定组分中的~(79)Br,以保留时间定性,外标法定量。5种含溴防腐剂均在0.5～100 mg/L范围内线性关系良好(r0.999),检出限为1.5～3.0μg/g,不同基质化妆品中的回收率为91.2%～108%,相对标准偏差(n=6)为1.3%～4.2%。该方法快速、准确、灵敏、专属性强,适用于化妆品中5种含溴防腐剂的定性定量分析。     

聚苯乙烯微球表面接枝丙烯腈的研究

采用分散聚合法制备出平均粒径为3.85 μm的窄分布聚苯乙烯微球， 并在此基础上引入第二单体丙烯腈进行共聚反应， 制备出平均粒径为4.02 μm的窄分布苯乙烯-丙烯腈共聚物微球. 对聚苯乙烯微球和苯乙烯-丙烯腈共聚物微球进行了形貌及粒径、红外光谱、差示扫描量热法(DSC)分析， 结果表明丙烯腈基团均匀分布在聚苯乙烯微球表面， 提高了聚苯乙烯微球表面的极性.     

腔长失调对光腔衰荡法测量精度的影响

 只考虑腔长失调因素下建立了反射率模拟测量的理论模型。根据高斯光束传输规律分析了腔长失调对衰荡腔模式耦合的影响，推导了腔长失调与谐振腔输出脉冲信号、衰荡信号与反射率之间的关系，模拟了腔长失调在±10mm范围内的光脉冲衰荡现象。结果表明：对于光敏面直径为0.2mm的高速探测器，为了保证10^-6的测量精度，腔长的失调量应控制在±1mm之间。在光路调节中采用具有对数变换功能的示波器和动态范围较大的探测器，可以提高测量精度。     

Interface states in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structure by frequency dependent conductance technique

Frequency dependent conductance measurements are implemented to investigate the interface states in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor(MOS) structures. Two types of device structures, namely, the recessed gate structure(RGS) and the normal gate structure(NGS), are studied in the experiment. Interface trap parameters including trap density Dit, trap time constant τit, and trap state energy ETin both devices have been determined. Furthermore,the obtained results demonstrate that the gate recess process can induce extra traps with shallower energy levels at the Al2O3/AlGaN interface due to the damage on the surface of the AlGaN barrier layer resulting from reactive ion etching(RIE).     

介孔碳/硫复合材料与室温钠硫电池

通过熔融扩散法合成了一系列不同含硫量的有序介孔碳(CMK-3)/硫复合材料(C x Sy).使用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、比表面积测定仪(BET)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)分析、表征和观察样品.将复合材料组装成钠硫电池,室温下测试电化学性能.循环伏安(CV)曲线结果表明,室温钠硫电池在1.61 V处有一个还原峰,对应于Na2Sx(x=2~5)的形成;在1.82 V和1.95 V分别有一个氧化峰,对应于Na2Sx(x=2~5)的分解.50%(by mass,下同)硫含量(C1S1)电极0.05C(1C=558 mA·g-1)倍率首周放电容量500 mAh·g-1,50周期循环比容量为305.6 mAh·g-1.交流阻抗数据拟合计算其表观活化能为21.83 kJ·mol-1.本研究可为室温钠硫电池多孔电极材料的研究提供一定的指导作用.     

希瓦氏菌介导制备还原氧化石墨烯薄膜及其增强的胞外电子传递

采用单室、三电极体系,通过希瓦氏菌(Shewanella)还原氧化石墨烯(GO)膜,制备了石墨烯(rGO)薄膜,并通过X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)等手段表征了GO还原前后的结构和性质,证明了Shewanella菌可以有效将GO膜还原为rGO.以该生物还原得到的rGO薄膜为工作电极,可以有效改善Shewanella菌的胞外电子转移(EET).与空白的氧化铟锡(ITO)电极相比,rGO电极的阳极输出电流增大了13%,电量增加90%.该Shewanella还原法是一种温和制备rGO膜的方法,制得的rGO膜改善了微生物的EET效率.