PYX基高聚物粘结炸药界面相互作用及力学性能的分子动力学模拟

本文采用分子动力学(MD)方法,模拟计算了聚氨酯(Estane 5703),三元乙丙橡胶(EPDM),氟聚物(F2311)三种高聚物分子分别与2,6-双(苦氨基)-3,5-二硝基吡啶(PYX)(011)晶面构建的高聚物粘结炸药(PBXs)体系的结合能,内聚能密度,径向分布函数以及力学性能.结果表明,Estane 5703与PYX(011)晶面之间相互作用最强;不同粘结剂与晶体之间的内聚能密度大小顺序为PYX/F2311> PYX/Estane 5703> PYX/EPDM;径向分布函数分析可知PYX(011)晶面与高聚物分子间的相互作用主要为静电相互作用;添加3种粘结剂后PBX体系的拉伸强度和断裂强度都得到了改善,而除了F2311外,加入另外两种粘结剂后,提高了PBX体系的抗剪切应变能力.     

球面稳定同伦群中的一族新元素及h_0b_1~2在π_*V(1)中的收敛性

对连通有限型谱x,y,存在着Adams谱序列(ASS){Es,tr,dr}满足(1)dr:Es,tr→Es r,t r-1r 是谱序列的微分,(2)Es,t2≌Exts,tA(H*(X),H*(Y)),(3)并且收敛到[∑t-sY,X]p.当X是球谱S, Moore谱M,Toda-Smith谱V(1)时,(πt-sX)p分别为S,M,v(1)的稳定同伦群.本文通过Adams 谱序列,发现了球谱S的稳定同伦群中的一族非零元素γth0b21及Toda-Smith谱V(1)的稳定同伦群中的非零元素h0b21.在利用Adams谱序列求解同伦群的过程中,需要计算有关Exts,tA(H*X,H*Y) 的结果.利用谱的上纤维序列导出的Ext群的正合序列和May谱序列,得出Exts,tA(H*X,H*Y)的某些结果.本文令p≥7为奇素数,q=2(p-1).     

High linearity AlGaN/GaN HEMT with double-Vth coupling for millimeter-wave applications

We demonstrated an AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT)namely double-Vthcoupling HEMT(DVC-HEMT)fabricated by connecting different threshold voltage(Vth)values including the slant recess element and planar element in parallel along the gate width with N;O plasma treatment on the gate region.The comparative studies of DVC-HEMT and Fin-like HEMT fabricated on the same wafer show significantly improved linearity of transconductance(Gm)and radio frequency(RF)output signal characteristics in DVC-HEMT.The fabricated device shows the transconductance plateau larger than 7 V,which yields a flattened fT/fmax-gate bias dependence.At the operating frequency of 30 GHz,the peak power-added efficiency(PAE)of 41%accompanied by the power density(Pout)of 5.3 W/mm.Furthermore,the proposed architecture also features an exceptional linearity performance with 1-d B compression point(P1 d B)of 28 d Bm,whereas that of the Fin-like HEMT is 25.2 d Bm.The device demonstrated in this article has great potential to be a new paradigm for millimeter-wave application where high linearity is essential.     

单靶溅射制备铜锌锡硫薄膜及原位退火研究

采用衬底加热溅射铜锌锡硫(CZTS)四元化合物单靶制备CZTS薄膜,并研究原位退火对制备薄膜的影响.结果表明:在溅射结束后快速升温并保持一段时间,所得到的样品相比于未原位退火的CZTS薄膜结晶质量更好,且表面更平整致密;原位退火后的CZTS薄膜太阳电池性能参数也相应地有所提升,其开路电压(V_(OC))为575 mV,短路电流密度(J_(SC))为8.32 mA/cm~2,光电转换效率达到1.82%.     

荧光高光谱结合特征波长筛选的脐橙表面农药残留快速检测

采用荧光高光谱成像技术对脐橙表面不同浓度毒死蜱和多菌灵进行判别。实验通过由氙灯光源激发的高光谱成像系统(392～998.2 nm)分别采集浓度为0, 0.5, 1, 2mg·kg^-1的毒死蜱和0, 1, 3, 5mg·kg^-1多菌灵的高光谱图像。使用ENVI软件获取样本的感兴趣区域(ROI);对原始光谱数据采用卷积平滑(SG)、标准正态标量变换(SNV)及一阶导数(FD)方法进行预处理;采用区间变量迭代空间收缩法(iVISSA)、无信息变量消除算法(UVE)和竞争性自适应加权算法(CARS)进行一次提取特征波长,二维相关光谱(2D-COS)方法进行二次提取特征波长。最后采用主成分分析与线性判别分析相结合算法(PCA-LDA)和偏最小二乘算法(PLS-DA)建立基于两次提取特征波长脐橙表面不同浓度毒死蜱和多菌灵残留的判别模型。将原始光谱数据与经过预处理的3种光谱数据进行建模分析,结果发现毒死蜱和多菌灵的光谱数据经过SG处理后模型效果最优。对经SG预处理后的毒死蜱光谱数据和多菌灵光谱数据进行特征波长一次提取,最佳特征波长分别为iVISSA法和CA...     

硫化温度-时间曲线对铜锌锡硫薄膜性能的影响

采用溅射法制备含硫预制层,硫化时采用不同的升温速率对经过合金处理的含硫预制层进行退火硫化.通过表征薄膜的表面粗糙度,致密性,均匀性来研究硫化时升温速率对薄膜表面形貌的影响.结果表明当升温速率变慢时,薄膜中的CZTS颗粒逐渐增大,虽然较大的颗粒能减少单位面积内的晶界,但是薄膜的表面粗糙度却随颗粒尺寸的增大而逐渐下降.通过对薄膜的元素组分、晶体结构、相成分进行了检测,确定出薄膜的成分为贫铜富锌的单相锌黄锡矿.再通过测量相应的没有Mo层的CZTS薄膜样品的光电特性来间接的反映拥有Mo层的CZTS薄膜的光电特性.最终制备出结构为SLG/Mo/CZTS/CdS/i-ZnO/AZO/Ni/Al-grid的CZTS薄膜太阳电池,其中转换效率最高的电池为3.60;.     

HNBP和PYX两种耐热含能材料结晶形貌的理论研究

本文应用分子动力学模拟方法(MD),采用附着能模型预测了2,2′,4,4′,6,6′-六硝基二联苯(HNBP)和2,6-二苦胺基-3,5-二硝基吡啶(PYX)两种耐热含能材料的真空形貌,计算了二甲基亚砜(DMSO)溶剂作用下两种耐热含能材料的晶面层与溶剂层的相互作用能,修正了附着能,预测了DMSO溶剂作用于HNBP和PYX的晶体形貌.计算结果表明, HNBP晶体真空形貌的主要晶面为(0 0 1)、(0 1 0)、(0 1-1)、(1-1 0)和(1 0 0), PYX晶体真空形貌的主要晶面为(0 1 1)、(1 0 1)、(1 1 0)和(0 2 0). DMSO溶剂与两种耐热含能材料各个晶面都呈吸引作用. DMSO溶剂作用后所预测的HNBP晶体形貌为扁平长方体,纵横比为2.397. DMSO溶剂作用后所预测的PYX晶体形貌为棱柱状,纵横比为1.838.     

不确定并串联系统的贮备冗余优化

在可靠性工程中,可靠性优化设计是系统设计阶段需要解决的一个重要问题.文章针对不确定并串联系统,研究了具有不确定寿命和不确定费用的贮备冗余优化问题.以最大化系统可靠性,最大化系统寿命和最小化系统费用为目标,构建了3种不同的贮备冗余优化模型.在不确定理论框架下,给出了3种模型的等价模型,且根据决策者的偏好构建了3种带有优先级的模型.此外,给出的数值算例说明了所构建模型的合理性.     

不同硫化温度对Cu2ZnSnS4薄膜质量及太阳能电池性能的影响

采用ZnS-Sn-CuS作为靶材,利用磁控溅射技术制备了Cu2ZnSnS4 (CZST)薄膜材料及太阳电池,重点研究了不同硫化温度对CZTS薄膜质量及太阳电池性能的影响.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、显微拉曼光谱仪(Raman)和紫外可见分光光度计(UV-Vis)分别表征了不同硫化温度下制备的CZTS薄膜的晶相结构、表面形貌、化学组分、相的纯度和光学性能.结果表明:在580℃下所制备的CZTS薄膜光滑致密、结晶质量好,同时化学组分属于贫铜富锌,而且无其他二次相,禁带宽度约为1.5 eV.符合高效率太阳电池吸收层的要求.将CZTS吸收层按照SLG/Mo/CZTS/CdS/i-ZnO/ITO/ Al的结构制备成面积为0.12 cm2的电池并进行Ⅰ-Ⅴ测试.测试结果表明,在580℃硫化后制备的CZTS薄膜太阳电池具有最高的转换效率为3.59;.     

单质靶溅射制备CZTS薄膜及太阳电池

采用单质靶磁控溅射制备Cu2ZnSnS4 (CZTS)薄膜,研究了薄膜的元素组分、升温速率、硫化温度对薄膜表面平整性以及晶粒尺寸的影响.通过SEM与AFM表征薄膜的表面形貌与表面粗糙度,用EDS检测薄膜的元素组分.所制备的样品的Cu/(Zn+ Sn)、Zn/Sn处于最优范围.通过XRD及Raman检测薄膜的结晶情况以及薄膜中的二次相,经上述测试分析判定CZTS薄膜品质良好.最终制备出以CZTS为吸收层的薄膜太阳电池,并用Ⅰ～V特性检验了CZTS电池性能参数,得到效率为0.83;的CZTS薄膜太阳电池,并通过改进硫化退火工艺将效率提高至1.58;.