Nd：YVO4晶体α向生长研究

采用固-液两相混合，使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd：YVO4多晶原料，降低固相合成反应温度，减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件，采用提拉法，以(100)方向进行单晶生长，得到一系列掺杂浓度的Nd：YVO4单晶。     

Effects of Substrate Temperature on Helium Content and Microstructure of Nanocrystalline Titanium Films

Helium-charged nanocrystalline titanium films have been deposited by HeAr magnetron co-sputtering. The effects of substrate temperature on the helium content and microstructure of the nanocrystalline titanium films have been studied. The results indicate that helium atoms with a high concentration are evenly incorporated in the deposited titanium films. When the substrate temperature increases from 60℃ to 350℃ while the other deposition＇parameters are fixed, the helium content decreases gradually from 38.6 at.% to 9.2at.%, which proves that nanocrystalline Ti films have a great helium storage capacity. The 20 angle of the Bragg peak of （002） crystal planes of the He-charged Ti film shifts to a lower angle and that of （100） crystal plane is unchanged as compared with that of the pure Ti film, which indicates that the lattice parameter c increases and a keeps at the primitive value. The grain refining and helium damage result in the diffraction peak broadening.     

H~p(R×…×R)的原子分解

本文改进了 S.Y.A.Chang及R.Fefferman的H~p(R×R)原子分解定理,O相似文献   

拟协调元的精度分析

利用双参数有限元的框架，证明利用拟协调元方法构造的非协调三角形板元都具有一个非常特殊的性质。即相容误差比插值误差高一阶。这是常规有限元和一般非协调元所不具备的。     

采用二叉树编码的遗传算法实现数据似合

针对采用数值分析方法进行数据似合求解复杂度高、运算最大而精度较低的缺陷，本给出一种基于二叉树编码的遗传算法来进行数据拟合，取得了较好的效果。     

利用KTP晶体实现1.08μmNd：YAP激光器锁模

本文描述了利用ＫＴＰ晶体和腔的基波输出镜构成非线性镜实现１．０８μｍＮｄ：ＹＡＰ激光器的被动锁模。实验表明，这种新的锁模技术比用染料作可饱和吸收体的被动锁模技术有很多突出的优点，具有很大的发展潜力。实验测得锁模时基波１．０８μｍ输出２．４ｍＪ，二次谐波０．５４μｍ输出０．５ｍＪ（同样条件下的静态输出为２．５ｍＪ），基波脉冲的平均脉宽为４０ｐｓ。     

慢性铅中毒一例

详细问诊，为诊断慢性铅中毒提供了重要依据。     

海水中三丁基氟化锡(TBTF)的比色测定

三丁基氟化锡是国内外船底防污漆中广泛使用的毒料之一。对防污漆的深入研制,要求掌握防污漆中的毒料在海水中的渗出情况。然而,快速、简便的测定海水渗出液中微量TBTF的方法目前报导极少。二苯基卡巴腙已成功地被用于卤代二丁基锡的测定。本文以二苯基卡巴腙为显色剂测定了防污漆海水渗出液中的TBTF,取得了较为满意的结果。     

电场对含高氯酸锂盐的互穿网络高分子快离子导体的电导的影响

研究了直流电场对含ＬｉＣｌＯ４的聚氧化乙烯（ＰＥＯ）４００与环氧树脂形成的液晶态互穿网络高分子忆禽子导体的电导率的影响。在室温至９０℃范围内，电导率随外加电压增加面降低。外加电压越高，对电导率变化的影响越大。