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采用柠檬酸溶胶-凝胶法合成了ZnGa2O4∶Mn2+粉末,利用丝网印刷技术制得交流粉末电致发光器件,并对其电致发光性能进行了测定和分析。结果表明:器件所发出的绿光(504nm)是Mn2+的3d5电子构型内4T1→6A1跃迁所致;启亮电压为100V左右;发光亮度与所加驱动电压满足B=Boexp(-bV-1/2)关系,这与传统电致发光器件类似,且在3000Hz以内发光亮度与频率成正比。讨论了ZnGa2O4∶Mn2+粉末的光致发光(PL)和电致发光(EL)的机理。 相似文献
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利用激光分子束外延方法(LMBE)在单晶Si(100)和玻璃基片上生长了ZnO薄膜.通过XRD谱、拉曼光谱和光致发光(PL)谱研究了ZnO薄膜的结构和光学性能.结果表明,ZnO薄膜具有六方纤锌矿结构,(002)衍射峰较强,c轴择优取向良好.在可见光范围,ZnO薄膜的平均透射率>80%,而在紫外范围,平均透射率急剧降低.拟合得到ZnO薄膜的禁带宽度为3.31eV.随激发波长增加,PL谱峰位没有变化,但强度发生了变化.同时,随测量温度升高,紫外发光峰强度减弱,峰位红移,半高宽展宽.理论拟合得到ZnO薄膜的活化能为59meV,接近于ZnO体材料的激子束缚能(60meV),说明紫外发光是由自由激子辐射复合引起的. 相似文献
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采用二分掩膜技术向溅射沉积的(Co6Ag94)薄膜中组合注入Fe离子,制备成具有不同Fe含量的16单元Fe-(Co6Ag94)颗粒膜磁光芯片。对制备态和退火态的Fe-(Co6Ag94)颗粒膜的物相进行了XRD研究。不同退火温度下,物相的演变反映出了退火过程中Co、Fe相和FeCo相纳米微晶的析出长大过程。采用原子力显微镜(AFM)对薄膜表面的研究结果表明,在退火过程中形成了嵌于基底中的纳米颗粒相。对制备态和不同温度退火后芯片各单元的磁光性能进行了测量,结果表明极向Kerr旋转角晚随着注入Fe含量的增加而增大,这可归因于颗粒膜中铁磁相的增多。在500℃以下,随着退火温度的增加,Fe-(Co6Ag94)颗粒膜的克尔磁光效应增加。对不同温度退火的样品进行穆斯堡尔谱测量,结果证明一定尺寸纳米Fe微晶颗粒的出现是磁光效应提高的主要原因之一。 相似文献
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综述了金属多层膜固相反应研究现状。着重阐述了组元结构差异以及不对称扩散偶中快扩散组元对固相反应的影响。另外,也介绍了非晶膜晶化时第一相形成的判据 相似文献
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