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1.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。 相似文献
2.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
3.
隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。 相似文献
4.
5.
为了提高E^2PROM中N管源漏穿通电压,用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低区短沟N管;DDD工艺大幅度高VPT,但pn结击穿电压低于20V,不能应用于高压MOS管;采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。 相似文献
6.
Park Jimin Kim Youngjin Kim Hyeongrae Kim JuYeon Oh Dongho 《Microsystem Technologies》2021,27(6):2515-2522
Microsystem Technologies - Printed electronics such as solar cells, RFIDs, and display panels can be made using printed electronic technology by printing viscous liquids having various properties... 相似文献
7.
钛合金断裂韧性与屈强差的关系初探 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了近α型TA15,α β型Ti6Al4V及亚稳定β型TB83种钛合金断裂韧性与屈服强度、强度极限的关系,提出了屈强差的概念。结果表明:屈强差增大,断裂韧性增加,且对Ti6Al4V和TB8两者之间有线性关系;β热变形或β热处理是提高屈强差和断裂韧性的有效方法。 相似文献
8.
9.
An axial dispersion of gas in a circulating fluidized bed was investigated in a fluidized bed of 4.0 cm I.D. and 279 cm in
height. The axial dispersion coefficient of gas was determined by the stimulus-response method of trace gas of CO2. The employed particles were 0.069 mm and 0.147 mm silica-sand. The results showed that axial dispersion coefficients were
increased with gas velocity and solid circulation rates as well as suspension density. The experimentally determined axial
dispersion coefficients in this study were in the range of 1.0-3.5 m2/s. 相似文献
10.
为了解决多高层框排架-支撑结构存在的抗震能力较弱、出现薄弱层等问题,以某典型多高层框排架-支撑结构为实例,基于防屈曲支撑( buckling-restrained brace, BRB)消能减震技术设计了3种减震方案,并通过有限元软件对原结构及各方案进行了弹塑性分析。分析结果表明:3种方案均可改善层间位移角分布,提高结构抗震性能,其中降刚度方案的经济性及减震效果均较好。按1:10缩尺比例分别设计制作原结构及降刚度方案试验模型,通过静力往复加载试验,验证了减震方案提高结构阻尼比及抗震性能的效果。 相似文献