不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

用弧光放电法制备氧化物超细粉

本文研究了用弧光放电法制备氧化物越细粉（UFP）──SiO2、In2O3。此法用保护气的喷嘴作为其中一个电极（阳机），阳拨材料是钨，阴极是原料金属Si、In，阴、阳电极在氩—氧气氛下产生电弧，氢气由喷嘴进入反应器。得出如下结果：（1）用氯气保护钨电极，制备出高质量的SiO2超细粉；（2）在氧气体积百分含量10％，电流100A条件下，高质量In2O3超细粉产率为125g/h；（3）In2O3－SnO2混合起细粉可由此法制得，它们各自的含量明显受金属氧化物蒸气压力的影响。用弧光放电法制备氧化物超细粉@远藤喜重…     

多通道线性系统的Luenberger观测器

本文针对多通道线性系统，给出了Luenberger形式的观测器，讨论了其收敛的条件，利用多通道线性系统特征结构配置理论，给出了设计的方法，并给出了实例和仿真结果。     

世界煤炭气化联合循环发电动向

简明介绍了目前世界煤炭气化联合循环发电的基本状况，包括各示范项目的煤炭气化方式、耗煤量、发电能力、煤气净化 及污染物的除程度等。     

快速管接头FOHD套筒滚压工装设计

快速管接头是利用其法兰止口的内表面和套筒的外表面锥度在螺栓的作用下对其间所密封的弹性材料(如合成橡胶)进行挤压，产生弹性变形，以实现同径管件的密封连接。该接头具有装卸使用方便、密封性能优良、使用寿命长等优点，同时，也可有效降低施工的工作强度和管件的加工成本，在国外已广泛使用(原理如     

~（60）CO－γ辐照感生Si／SiO_2慢界面态及其对高频C－V测试的影响

研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响．结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３—０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受主型．分析认为慢界面态对应的的微观缺陷很可能是Ｓｉ—Ｏ断键或弱键．慢界面态的产生还引起Ｃ－Ｖ曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关．文中提出了如何通过高频Ｃ－Ｖ测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法．     

中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀

多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时，应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺，如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺，存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工，做了大量实验、质谱分析和多项测试研究，成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀，做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。