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除雪机械的推雪装置可分为整体式和分体式2种结构。整体式推雪装置在正面推雪时虽能保证行驶稳定,但推雪板向两侧排雪性能不良。将其一侧向后倾斜推雪时,如果倾斜角度过大,将造成除雪机械侧滑,不能保证行驶稳定。由于采用整体式推雪装置除雪效果不好,我公司在平地机上安装了分体式推雪装置。 相似文献
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文章简单对龙羊峡水电站4F励磁系统故障造成设备损坏的事故进行了简单阐述及分析,并提出了对设备进行改造的意见及建议。 相似文献
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为满足新型雷达对千瓦级大功率放大器的需求,采用0.25μm GaN HEMT工艺研制了一款输出功率大于2 000 W的X波段内匹配功率放大器。通过背势垒层结构与双场板结构提高器件击穿电压,使GaN HEMT管芯的工作电压达到60 V。通过负载牵引得到管芯最优阻抗,采用T型匹配网络和功率分配/合成器将管芯阻抗匹配到50Ω。在工作电压60 V、占空比1‰、脉宽5μs测试条件下,9.0~9.4 GHz频段内输出功率大于2 000 W,最大功率密度达到10.4 W/mm,功率增益大于7 dB,功率附加效率大于37.2%。 相似文献
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采用金属有机气相外延(MOVPE)方法在6英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上生长了GaN HEMT材料。使用高分辨X射线衍射仪、原子力显微镜和微区拉曼光谱仪等对材料的表面形貌、晶体质量和应力进行了测试和表征。测试结果表明,GaN外延材料(002)面和(102)面的半高宽(FWHM)分别为204″和274″,表面粗糙度(扫描范围为5μm×5μm)为0.18 nm,GaN外延材料具有较好的晶体质量。拉曼光谱测试结果显示,6英寸GaN外延材料应力为压应力,并得到有效控制。非接触霍尔测试结果显示AlGaN/GaN HEMT结构材料二维电子气(2DEG)迁移率为2 046 cm2/(V·s),面密度为6.78×1012 cm-2,方块电阻相对标准偏差为1.85%,结果表明,制备的6英寸GaN HEMT结构材料具有良好的电学性能。 相似文献
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为降低脱硫系统中石膏含水量、提高石膏品质、保证石灰石浆液对烟气二氧化硫的吸收效率,以实际运行经验为基础,系统分析了脱硫系统中石膏脱水困难的各种原因,介绍了相应的应对措施,以期对脱硫系统运行和异常分析起到一定的参考作用。 相似文献
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本文阐述了资本成本会计对会计和股市的影响,以及建立资本成本会计的现实意义,并初步探讨了建立资本成本会计的理论构想。 相似文献
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介绍了300MW机组分散控制系统的协调控制策略。系统设计了多种辅机故障时的负荷限制功能,改进了RB方式下保证燃烧系统稳定的措施,提出了根据前馈的微分作用快速调节燃料量的方法。 相似文献