突出社区防火 重在隐患整改

10月14日，渝中区防火安全委员会向全区机关、团体、企业事业单位发出通知，要求结合目前正在开展的“火灾隐患大排查、大整改，保安全”活动和消防宣传“进社区、进学校、进企业、进农村”工作，突出社区防火宣传，大力开展以“整改火灾隐患，珍爱生命安全”为主题的系列宣传活动。     

有感会计信息失真

分析市场经济条件下会计信息失真的原因，提出应采取的措施，以保障会计系统及经济活动的有效运作。     

硼预淀积对自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响

研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV/CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下,得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子点,用AFM对量子点的形貌进行观察,Ge量子点尺寸的涨落小于±3%,量子点的水平尺寸和高度分别为60nm和10nm,密度为8×109cm-2。实验结果表明,通过预淀积硼表面处理,可以得到尺寸分布很窄的量子点,以满足量子点光电器件方面应用的要求。     

铝锰铁合金在低碳铝镇静钢中的应用

介绍了韶钢用铝锰铁合金脱氧合金化生产低碳铝镇静钢的工艺,采用铝锰铁脱氧合金后,低碳铝镇静钢的炼成率从原工艺的93%提高到99%以上,并且轧材的质量有了大幅度的提高.     

基于分布式粗粒度并行计算的遗传规划算法研究

针对经典遗传规划算法(CGP)存在容易早熟收敛、运行效率低的缺陷,提出一种将分布式计算与遗传规划算法结合的计算模型.该模型利用个体迁移策略实现对种群的优化,克服易早熟的缺陷.并且采用分布式计算能够有效地节省算法的运行时间.最后通过对语音数据预测误差的比较,验证了改进后算法的有效性.实验表明,基于分布式粗粒度并行计算的遗传规划算法(CGGP)计算性能优于经典遗传规划算法(CGP).     

一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关

设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷(SP4T)RFMEMS开关。单元开关采用以低应力氮氧化硅(SiON)作为桥膜的双端固定桥式结构,并利用附着的金层形成接触结构。整个SP4T开关包括与50Ω特征阻抗相匹配的共面波导,1个输入端,4个输出端,4个静电驱动的侧拉桥,以及4个驱动引出区(pad)。测试数据表明,开关驱动电压18.8V;插入损耗S21<0.26dB@DC-3GHz,S31<0.46dB@DC-3GHz;隔离度S21>69.5dB@DC-3GHz,S31>69.2dB@DC-3GHz。结果显示,此开关的隔离度在所有输出端有很好的一致性,插损在DC-3GHz的频段内均较小,非常适合低频使用。     

一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的阈电压解析模型

本文提出一个非均匀掺杂、短沟道MOSFET阈电压的准二维解析模型。用此模型对各种不同条件下的微米、亚微米MOSFET的阈电压进行了计算,其结果与二维数值分析程序得到的结果相符甚好。本模型可用于电路分析程序,工艺容错分析及器件的优化设计。     

一种全对称高分辨精度的多端电流型MAX门和MIN门电路

采用Ｐ阱ＣＭＯＳ工艺制作了一种全对称、电流型的多端ＭＡＸ门和ＭＩＮ门电路．实验结果表明，ＭＡＸ门的输出相对最大输入电流的偏差较小，最大偏差为５μＡ；ＭＩＮ门的输出相对最小输入电流的偏差略大于ＭＡＸ门，最大偏差约为１３μＡ．但ＭＡＸ门和ＭＩＮ门都有较高的分辨精度，都在５μＡ以内．因此，这种多端的电流型ＭＡＸ（ＭＩＮ）门电路特别适合于在模糊逻辑系统中应用．提出并制作了一种结构简单、效果很好的非线性Ｉ－Ｖ转换电路，可用于将以电流值方式表示的最大输出信号转变为以数字电平表示．