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1.
对4H-SiC雪崩光电探测器的Ti/Al/Au p型欧姆接触进行了详细的研究。通过线性传输线模型(LTLM)测得经930℃退火后欧姆接触的最小比接触电阻为5.4×10~(-4)Ωcm~2。分别用扫描电子显微镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射谱(XRD)对退火前后的表面形貌、金属之间以及金-半接触界面之间相互反应及扩散情况进行测试与分析,发现了影响欧姆接触性能的主要原冈。对采用此欧姆接触制备的4H-SiC雪崩光电探测器进行测试,发现器件的击穿电压约为-55 V,此时其p型电极处的电压降仅为0.82 mV,可以满足4H-SiC雪崩光电探测器在高压下工作的需要。 相似文献
2.
采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的Ⅰ-Ⅴ、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电流密度为5nA/cm2),光电流比暗电流高3个数量级以上.其光谱响应表明,单器件在电压为20V时的响应度约为0.09A/W,比400nm时的比值均大5000倍,说明探测器具有良好的紫外可见比. 相似文献
3.
采用低压金属有机化学沉积方法制备了InGaN/GaN多量子阱.变温PL测量发现,量子阱发光强度具有良好的温度稳定性,随着温度升高(10~300K),发光强度只减小到1/3左右.分析认为,InGaN/GaN多量子阱的多峰发光结构是由多量子阱的组分及阱宽的不均匀引起的.随着温度升高,GaN带边及量子阱的光致发光均向低能方向移动,但与GaN带边不同,量子阱发光峰值变化并不与通过内插法得到的Varshni经验公式相吻合,而是与InN带边红移趋势一致,分析了导致这种现象的可能因素.还分析了量子阱发光寿命随温度升高而减小的原因. 相似文献
4.
室温下采用RF磁控溅射技术在石英衬底E制备了多晶ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜,通过XRD,AFM,AES,Hall效应及透射光谱等测试研究了RF溅射功率、氩气压强对薄膜的结构、电学和光学性能的影响.分析表明:在最优条件下(溅射功率为250W,氩气压强为1.2Pa时),180nm AZO薄膜的电阻率为2.68×10-3 Ω·cm,可见光区平均透射率为90%,适合作为发光二极管和太阳能电池的透明电极.所制备的AZO薄膜具有c轴择优取向,晶粒问界中的O原子吸附是限制薄膜电学性能的主要因素. 相似文献
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6.
探讨1-甲基环丙烯(1-methylcyclopropene,1-MCP)、丁香、甘草提取液及壳聚糖复合处理对脆红李常温货架期品质的影响。结果表明,处理组2、3、12 [1-MCP(μL·L-1)∶丁香提取液(%)∶甘草提取液(%)∶壳聚糖(%)分别为0.25∶2.00∶0.50∶1.50、0.25∶1.00∶2.00∶1.00、1.50∶1.50∶1.00∶0.50]能明显减缓脆红李果实硬度降低和失重增加,抑制脆红李果实在贮藏过程中可溶性固形物含量下降及丙二醛含量上升,提高李果实贮藏品质。逐步回归分析结果显示,脆红李硬度的保持与1-MCP、丁香、甘草提取液和壳聚糖的添加有关;质量的保持主要与丁香和甘草提取液的添加有关。对脆红李货架期硬度变化建立一级动力学模型,以硬度下降30%为货架期终点,对照组货架期为13 d,处理组2、3、12货架期分别为17、19、21 d;对脆红李货架期质量变化建立零级动力学模型,以质量下降5%为货架期终点,对照组货架期为5 d,处理组2、3、12货架期为19、16、15 d。 相似文献
7.
为开发一种含有天麻素的调配酒,采用固态白酒浸泡的方式提取天麻素得到天麻提取液,并利用剩余天麻渣进行液态发酵酿酒,将天麻提取酒液与天麻渣液态发酵酒按一定比例调配得到一种新型的天麻调配酒。采用单因素及正交试验确定天麻素最佳提取条件,并探究不同调配比例对酒感官的影响。试验结果表明:提取天麻素的最佳条件为提取温度100℃、固液比1:15、提取时间60 min;在液态发酵阶段,添加天麻渣可以提高酒液的酒精度发酵速率,且最佳添加量为8%;天麻提取酒液与天麻渣液态发酵酒的调配比例为1:3,其感官总评分为99分,所得调配酒清亮透明且无悬浮物、香气纯正且有轻微天麻药香、口感酣厚且回味持久。最终证实了利用天麻提取酒液与天麻渣液态发酵酒开发调配酒具有一定的可行性。 相似文献
8.
采用磁控溅射方法分别在n型4H-SiC上沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触,并进行不同温度下的退火,通过I-V和C-V测试,研究不同退火温度对Schottky势垒高度以及理想因子的影响.研究结果表明,对Cu,Ni金属,适当的退火温度能提高其与4H-SiC所形成的Schottky势垒高度,改善理想因子,但若退火温度过高,则会导致接触的整流特性退化.器件在退火前后,反向漏电流都较小.热电子发射是其主要的输运机理.所制备的金属半导体接触界面比较理想,无强烈费米能级钉扎. 相似文献
9.
采用酸阻滞法对白酒丢糟浓硫酸降解糖液的糖酸分离进行了研究。结果显示,阴离子树脂UMA150可用于含较高硫酸浓度的白酒丢糟降解液的糖酸分离。在实验室室温条件下,树脂柱径高比为1∶15,进样体积180 mL,硫酸浓度25.30 g/100 mL,糖浓度4.42 g/100 mL,在糖酸分离点(分离过程中pH急剧下降点)前后分别以5 mL/min、7 mL/min的流速进行糖酸分离,能得到较好的分离效果。硫酸和糖的分离度达到0.845,糖和硫酸回收率分别为83.49%和69.26%。 相似文献
10.
应用ATLAS模拟软件,设计了吸收层和倍增层分离的(SAM)4H-SiC 雪崩光电探测器(APD)结构。分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响,对倍增层参数进行优化模拟,得出倍增层的最优化厚度为0.26μm,掺杂浓度为9.0×1017cm-3。模拟分析了APD的反向IV特性、光增益、不同偏压下的光谱响应和探测率等,结果显示该APD在较低的击穿电压66.4V下可获得较高的倍增因子105;在0V偏压下峰值响应波长(250nm)处的响应度为0.11A/W,相应的量子效率为58%;临近击穿电压时,紫外可见比仍可达1.5×103;其归一化探测率最大可达1.5×1016cmHz 1/2 W-1。结果显示该APD具有较好的紫外探测性能。 相似文献