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在坩埚底部铺设与硅熔体浸润性较好的石英颗粒辅助晶体生长可以生长出晶粒细小且分布均匀的柱状晶粒,从而提高了多晶硅电池的光电转换效率。研究了氮化硅涂层改性石英颗粒对多晶硅生长和脱模的影响。结果表明,氮化硅涂层改性石英颗粒辅助生长可以获得晶粒细小且分布均匀的柱状晶粒,从而降低多晶硅缺陷密度,提高多晶硅质量,同时实现石英颗粒与晶体硅之间的自发分离,避免多晶硅与石英颗粒间因粘结而产生的应力问题。 相似文献
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研究不同的掺锗浓度对硼掺杂P型多晶硅铸锭性能的影响。实验结果表明:掺锗能够影响多晶硅铸锭中的位错密度、间隙氧浓度和硅片的机械强度。当掺锗浓度低于5×1019 at·cm-3时,位错密度和间隙氧浓度随着掺锗浓度的增加而降低,机械强度则随着掺锗浓度的增加而增强。当铸锭中掺锗浓度为5×1019 at·cm-3时,与不掺锗的硅片相比,掺锗硅片中位错密度平均降低约3%,间隙氧浓度平均降低约6%,机械强度平均提高约20%。但是,当掺锗浓度高于1×1020 at·cm-3时,掺锗对多晶硅铸锭性能的改善效果变差了,并对其性能产生不利的影响。 相似文献
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研究不同的掺锗浓度对硼掺杂P型多晶硅铸锭性能的影响。实验结果表明:掺锗能够影响多晶硅铸锭中的位错密度、间隙氧浓度和硅片的机械强度。当掺锗浓度低于5×1019 at·cm-3时,位错密度和间隙氧浓度随着掺锗浓度的增加而降低,机械强度则随着掺锗浓度的增加而增强。当铸锭中掺锗浓度为5×1019 at·cm-3时,与不掺锗的硅片相比,掺锗硅片中位错密度平均降低约3%,间隙氧浓度平均降低约6%,机械强度平均提高约20%。但是,当掺锗浓度高于1×1020 at·cm-3时,掺锗对多晶硅铸锭性能的改善效果变差了,并对其性能产生不利的影响。 相似文献
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