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CMOS器件p、γ、β辐照损伤等效剂量分析计算 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了CMOS电子元器件中质子、电子和光子辐照损伤 (电子 空穴对和离位原子浓度 )计算模型。利用微机化的电子 光子簇射过程模拟程序EGS4和TRIM程序分别计算了电子 ( β)、光子 (γ)和质子 ( p)辐照在CMOS器件各层中产生的电子 空穴对和离位原子浓度。计算结果表明 ,在CMOS器件桥结绝缘层中 ,电子产生的电子 空穴对和离位原子浓度最高 ,光子次之 ,质子最低 ,这表明电子辐照损伤最高 ,光子次之 ,质子最小。 相似文献
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将热电冷联产与热电联产加电制冷能耗比较分解成供热、供电、供冷三种煤耗差进行分析,建立了以热电联产加电制冷为基准的三种煤耗差数学模型,探讨了煤耗差随冷热负荷的变化情况,给出了目前一般情况下热电冷联产的节能条件、判据及措施。 相似文献
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我国热电联产的现状、前景与建议 总被引:11,自引:0,他引:11
经过几十年的建设,我国热电联产已具有相当规模。现状到什么程度,前景如何等都是人们关心的问题。文章介绍国外热电联产国家采取的优惠政策、我国热电联产发展中存在的问题并握出若干建议。 相似文献
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采用金硅面垒探测器及CsI(Tl)探测器设计制作了一套△E-E型探测空间粒子的望远镜系统,利用α粒子、质子、氧离子、铁离子4种粒子对该望远镜系统和电子学系统进行性能测试和能量刻度。电子学的增益系统分为三挡,分别为1.0、1/3和1/12.75。实验结果表明:对于α粒子,采用1/3挡,在△E_1和△E_2探测器中每道能量分别是H_1=0.107 MeV和H_2=0.123 MeV。对质子能量的刻度,采用1挡,每道能量H值为0.016 7 MeV,这个H值几乎不随能量变化,在CsI探测器中,每道能量H为1.047 MeV。对氧离子的能量刻度采用1/12.75的挡别,刻度出每道能量是1.11 MeV。在探测器中,沉积能量高于50 MeV,电子学系统进入饱和状态。对铁离子的标定结果与氧离子的结果相同。 相似文献
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1前言
最近几年我国的热电联产得到了迅速发展,到2006年底热电联产的年供热量达227565万GJ,比2005年增加18.18%,单机6000kW及以上供热机组共2606台,总容量达8048.69万kW,占同容量火电装机容量的18%,为全国发电机组总容量的14.6%。据专家测算,由于热电联产每年将为国家节约燃煤6000万t以上,为节能、环保做出重大贡献,因而是不容忽视的动力供应系统。 相似文献
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采用金硅面垒探测器、CsI闪烁体和改进的快响应电子学系统 ,设计了一套空间带电粒子谱探测系统 ,包括ΔE E望远镜系统和数据的获取及处理系统。根据该空间粒子探测谱仪系统 ,提出了可同时或分别探测空间带电粒子能谱和通量的方法。可探测粒子的种类和能量分别如下 :质子 ,能量范围为1~ 2 0 0MeV ;α粒子 ,能量范围为 1~ 2 0 0MeV u ;氧离子 ,能量范围为 1 7~ 4 96MeV u ;铁离子 ,能量范围为 2 5MeV~ 1 0GeV u。 相似文献
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