掺钨氧化铟薄膜厚度对异质结电池性能的影响

研究工业化反应等离子体沉积(RPD)设备制备的掺钨氧化铟(IWO)薄膜的厚度变化对薄膜光电性能和非晶硅/晶体硅异质结(SHJ)电池性能的影响。X200℃退火后具有良好的结晶性。通过控制IWO薄膜的沉积时间,制备IWO薄膜厚度递增的一系列8英寸SHJ电池样品。研究发现随着IWO膜平均厚度为82 nm时,SHJ电池转换效率最高达到21.87%,对异质结电池工业化生产具有指导意义。     

基于ANSYS的光伏组件不共面安装可靠性分析

光伏组件处于不合理的安装情况下,会对光伏组件的使用可靠性造成影响,利用ANSYS有限元分析软件对处于不共面安装状态的光伏组件进行静力学分析;分析结果表明与正常安装状态下的光伏组件相比,处于不共面安装的组件在承受相同外部载荷时所受应力更大;并通过模拟实验验证了组件的不共面安装会降低其机械承载能力,且即使无外载荷的情况下,组件长时间处于不共面安装状态也会造成组件中电池片隐裂。     

La2／3Sr1／3MnO3单晶的本征低温电阻最小行为研究（英文）

摘要：为了阐明在锰氧化物多晶以及外延薄膜中存在的低温电阻极小值现象,对La2／3Sr1／3MnO3单晶样品的性质进行研究.该单晶样品是利用光学浮区生长炉,在氩气气氛中生长出的高品质晶体,系统研究了退火对La2／3Sr1／3MnO3单晶低温输运行为的影响.结果表明,在退火前样品存在的低温电阻极小值无论是c轴还是ab平面在退火后均消失,这一结果首次证明了在锰氧化物体系中存在的低温电阻极小是一种非本征的物理行为,与实验样品的制备工艺和存在于其中的非完整性具有较强的依赖性,并进一步证明自旋无序散射乃是传统体系出现低温电阻极小的主要原因.     

基于PAM-STAMP的卡车车门拉延成形CAE仿真分析

本文采用PAM-STAMP 2G仿真软件对卡车车门冲压成形过程进行了数值模拟仿真分析.通过对成形可行性进行分析,可以及早发现问题,改进模具设计,从而大大缩短调模试模周期,降低制模成本.进一步验证了基于有限元方法的PAM-STAMP 2G软件为模具的研制提供了一个强有力的工具.     

晶硅光伏组件封装因子优化

根据晶硅电池的光学、电学参数改善组件封装材料相关性能,使晶硅电池封装功率损失显著降低。根据不同电池的量子效率(EQE),调节镀膜玻璃的透过率分布曲线,使两者实现最佳匹配,从而提高组件光电转换效率。前端封装材料使用紫外高透乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA),背面封装材料使用紫外截止EVA,既可提高效率,又能保证组件的抗紫外性能,其平均功率的增益为1.0%~1.5%。     

PI衬底柔性透明硅薄膜太阳能电池的制备及性能

利用硬质玻璃为载板,采用传统硅薄膜太阳能电池生产设备,在聚酰亚胺(PI)塑料薄膜衬底上沉积了B掺杂的ZnO(BZO)薄膜,并以此作为前电极制备了单节电池结构及多节串联一体结构的非晶硅(a-Si)太阳能电池;研究了PI衬底上BZO薄膜的光学及电学性能。结果表明,PI衬底上沉积BZO薄膜后在300~1 200 nm波长范围的透光率为76.63%,方块电阻19.7?/□。所制备的单节和多节串联一体结构的a-Si薄膜太阳能电池的转化效率分别达到6.45%和5.1%,封装后电池组件具有一定的透光性,透光率约达到30.2%。     

PERC电池EL暗片研究

介绍了一种通过调整背钝化工艺改善多晶硅背钝化电池缺陷的方法。采用背钝化新型电池片工艺,在正常生产过程中EL会呈现有规律的区域发暗,严重影响电池片性能。本文通过优化PECVD工艺时间和退火温度,使电池片EL区域发暗得到解决,同时还提升了电池片效率。     

微波辐射法氢交换Naβ分子筛催化合成蒽醌及其分离

用微波辐射法对Naβ分子筛进行氢交换,并对微波辐射条件进行了优化.通过对微波辐射法与常规加热方法氢交换Naβ分子筛的催化性能比较,发现利用微波辐射法省时,节能,高效.用溶剂法对产物进行了分离,通过对不同溶剂的筛选,发现N,N-二甲基甲酰胺是较合适的溶剂,分离得到蒽醌的纯度为97.98%,回收率为93.90%.     

多晶硅酸制绒工艺研究

利用化学腐蚀法制备多晶硅绒面，根据不同酸液配比研究了硅表面暗纹形成情况及对电池电性能的影响。实验结果表明：在富HNO3的环境下可有效减少暗纹的生成，通过实验优化工艺得出较佳的酸液配比为HF：HNO3：H2O=1：4，5：3.2，在此配比下眼池片外观正常，电性能稳定性较好。     

SiN_x减反射层对组件抗PID能力影响

利用管式PECVD工艺,通过调整气体流量比,得到减反射性能较佳的双层SiN_x:H膜电池片,再对电池片封装成的光伏组件进行96 h、300 h的PID实验,得出较佳的抗PID工艺。实验结果表明,当折射率2.05时,电池片的抗PID效果较差,当折射率2.16时,抗PID效果显著;即减反射层工艺为达到较高的光电转化效率并同时满足抗PID效果,控制SiN_x膜电池片的折射率为2.16±0.02;即淀积1的较佳流量比NH3/SiH4为4.83,淀积2的较佳流量比NH_3/SiH_4为13.33,在此配比下电池片外观正常,电性能稳定性较好,同时组件抗PID测试300 h后衰减5%。