晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状

晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同，晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池制备技术的最新进展，最新实验室研究结果。报导了晶体硅薄膜电池商业化进展状况，指出了晶体硅薄膜电池实现产业化必须解决的问题。     

煤炭HA与脲的相互作用及其产物的组成结构研究——第二报 HA-脲络合物段分的红外光谱

一、前言 红外光谱(I.R.)是定性研究有机物质结构特别是官能团特征的重要手段之一,已被广泛应用于腐植物质(HS)的结构表征。Schnitzer对HS的红外光谱主要吸收峰和归属进行了详细的讨论,M.CEH和D.HADZT对腐植酸(HA)及其衍生物的红外光谱特别就1700cm~(-1)和1600cm~(-1)附近的吸收峰进行了归属。刘康德、郑平用I.R.表征了不同来     

利用金属辅助化学腐蚀法在硅表面获得纳米绒面结构以提升多晶硅太阳电池效率

在硅片表面制备绒面结构能够有效降低太阳光在硅片表面的反射损失,是提高太阳能电池转换效率的一条重要途径。通过真空热蒸发法在多晶硅片上沉积纳米银颗粒,利用金属辅助化学腐蚀(MACE)法,制备了不同腐蚀时间下的纳米绒面结构,其中,腐蚀时间为60s的纳米绒面的平均反射率低至4.66%(300~1100nm)。同时,对腐蚀时间为60s的纳米绒面用KOH溶液进行优化处理,将KOH处理前后的多晶硅片采用常规电池工艺进行电池制备研究。对比发现,经过KOH处理后的电池效率比未经KOH处理的电池效率提高了0.43%。     

背面熔化对颗粒硅带表面质量的改善

衬底的表面质量对外延薄膜有着显著的影响。为获得高质量的衬底，我们改进了SSP的制备方式。将制备的SSP硅带进行背面熔化后，硅带背面的表面质量得到大幅改善，晶粒明显增大。通过SEM和金相显微镜观察，对两种SSP进行了比较，分析了产生这些变化的原因，并讨论了改进建议。     

多晶硅薄膜太阳电池的研究与进展

从薄膜的沉积方式和沉积温度以及衬底材料等几方面综合分析了多晶硅薄膜制备工艺的特点及多晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展。并以颗粒硅带(SSP)为衬底，采用快热化学气相沉积(RTCVD)法制备了多晶硅薄膜，随后制得的多晶硅薄膜太阳电池的效率达到6．05％。     

颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池的研制

以工业硅粉为原料制备出颗粒硅带（SSP），对颗粒硅带表面形态进行了分析。以SSP为衬底，采用快速热化学气相沉积（RTCVD）法生长多晶硅薄膜，并以此制作出效率为2．93％的颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池，这在国内属首先。并报道了对以SSP为衬底的多晶硅薄膜太阳电池的初步研究结果，同时讨论了该类电源的结构、工艺特点和改进措施。     

以废弃电子级硅片回收高纯硅的工艺研究

讨论了来源于半导体器件行业的废弃电子级硅片的回收处理工艺.首先对不同样品进行分类,然后对硅片表面金属杂质层进行喷砂或化学腐蚀处理;并对样品进行了扫描电镜(SEM)、电学性能和痕量杂质元素方面的测试和分析.结果表明使用该方法回收处理废弃硅片切实可行,并能有效地节约利用高纯硅材料,对当前供不应求的太阳能级硅材料起到一定的补充作用.     

纳米WO3薄膜的制备方法及其研究现状

综述了纳米ＷＯ３薄膜的各种制备方法,评价了其优缺点,对纳米ＷＯ３的研究和应用现状作了简概述,并提出了纳米ＷＯ３薄膜的发展前景。     

煤中腐植酸与尿素作用机理及其反应产物的组成结构研究——第一报 不同来源的煤腐植酸与尿素的反应性能与其组成结构的关系

一、前言 腐植酸是一类天然的、组成结构复杂的脂肪一芳香族羧酸的混合物。它已广泛应用于农业、工业、医疗卫生等方面,其中腐植酸一脲络合物的开发及其在农业上的应用已引起广泛重视。 腐植酸—脲络合物(UHA)是腐植酸     

用于太阳能电池的多晶硅激光表面织构化研究

介绍了利用激光制备多晶硅表面织构的研究结果。采用激光在硅片表面刻蚀,然后利用化学方法去除残渣和损伤,制得均匀的表面陷光结构。通过扫描电子显微镜,HitachiU-4100分光光度计和Semilab WT2000少子寿命仪分析了表面织构化后硅片的表面形貌、反射率和少子寿命。通过调节激光和化学腐蚀参数得到很好的陷光效果,表面反射率最低可以降到约10%。但是激光刻蚀对硅片性能仍有一定损伤,有待改进。激光表面织构为多晶硅的减反射处理提供有效的途径。