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本文综述了光化学气相沉积(Photo-CVD)法分解硅烷(SiH_4、Si_2H_6)制备非晶硅(a-Si)膜的简单原理、a-Si 膜的性质、a-Si 和微晶硅(μc-Si)太阳电池的光伏特性。也介绍了 a-Si 和μc-Si 太阳电池制备技术和发展现状。并指出 Photo-CVD 法是制备高转换效率(η)太阳电池很有希望的一种方法。 相似文献
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本文综述了光化学气相沉积(Photo-CVD)法分解硅烷(SiH_4,Si_2H_6)制备非晶硅(a-Si)膜的原理、膜的性质和a-Si太阳电池的光伏特性,报道了a-Si太阳电池的制备技术和发展现状,并对其前景进行了评述。 相似文献
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本文首次报道了非加热SnO_2—TiO_2气敏元件。该元件不掺任何贵金属,不加热,对 H_2、煤气、LPG有较高灵敏度,响应时间7秒左右,恢复时间小于19秒,老化实验11个月,气敏性不变,低功耗,0.1瓦左右。对CO和CH_4不敏感,有一定选择性。通过IR、BET、以及温度与元件电阻的关系,探讨了元件的机理。 相似文献
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常温CaO烟敏元件的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了以 SnO_2为基质材料,加入微量 CaO 的常温气敏元件(简称常温 CaO 元件)。该元件对10%~30%的烟有很好的选择性,并且灵敏,对丁烷、煤气、液化石油气、乙醇、氢气等不灵敏.本文讨论了 Sb_2O_3对常温 CaO 元件性能的影响。 相似文献
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非加热气敏元件气敏机理研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研制成α-Fe2O3和CeO2非加热气敏元件,指出气敏元件的比表面积越大(可达142m^2/g),吸附的OH^-(O^2^-)越多,气敏性能越好,研究了温度与阻值变化关系以及表面吸附氧的状态与温度关系,指出了表面吸附氧主要以O^-和O^2形成存在,气敏元 件对氢等不原气体感,对CO不敏感。 相似文献
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用电子束加热沉积法(EBD)制备了厚度420um的ZnIn2ZTe4薄膜。研究了最佳成膜工艺条件和性能,用电子能谱(XPS)分析了ZuIn2Te4薄膜的组成、结构和状态;典型ZnIn2Te4膜最佳参数为:电阻率ρ为3.2×10-1Ω·cm,Hall迁移率是79cm2V-1s-1,载流子浓度是1.58×1017cm-3,禁带宽度(Eg)是2.33eV;探讨了ZuIn2Te4膜导电机理,制作了ZuIn2Te4-Si太阳能电池。 相似文献