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本文在已经报道的采用直接集成方法制作的1.55μmInGaAsP/InP部分增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性进行了改进,并采用标准14脚碟型管壳对集成器件进行了封装。封装后的发射模块阈值电流约为20 ̄30mA,边模抑制比大于40dB,耦合输出光功率大于2mV,在3V的反向调制民压下消光比约为17dB。我们还在2.5Gb/s波分复用系统上对集成器件进行了传输 相似文献
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本文在已经报道的采用直接集成方法制作的1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性能进行了改进,并采用标准14脚蝶型管壳对集成器件进行了封装.封装后的发射模块阈值电流约为20~30mA,边模抑制比大于40dB,耦合输出光功率大于2mW,在3V的反向调制电压下消光比约为17dB.我们还在2.5Gb/s波分复用系统上对集成器件进行了传输实验.经过240km普通单模光纤传输后,在误码率为10-10的情况下功率代价小于0.5dB. 相似文献
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