氧化铝钝化在晶体硅太阳电池中的应用

首先,回顾了氧化铝钝化技术的发展历程,对制备氧化铝钝化薄膜的手段进行了总结,并且详细描述了氧化铝的材料性质和钝化的机理。其次,指出氧化铝薄膜的优点在于优异的场效应钝化特性和良好的化学钝化性质,因此可以应用于低掺和高掺p型硅表面的钝化。此外,氧化铝薄膜及其叠层还具有良好的热稳定性,符合丝网印刷太阳电池的要求。最后,总结了氧化铝薄膜钝化技术在晶体硅太阳电池中的最新研究动态,指出氧化铝钝化薄膜用于工业生产中存在的问题,并针对这些问题提出了有效的解决方案。     

昙花一现的“明湖”相机

济南生产"明湖"相机的厂家其实是一家以生产显微镜为主的光学仪器厂——济南医用光学仪器厂.该厂成立于1964年,当时以维修医疗器械为主,后期生产生物显微镜和部分光学仪器,所生产的显微镜等光学仪器多次获奖,有的产品填补了国内空白.本人喜欢收藏国产老相机,曾在十多年前收到过一台"明湖"牌120双反相机,并对它进行了初步探究,此后又有幸结识了它的总设计师孙永贵老先生,孙老现已八十高龄,在30多年前是济南医用光学仪器厂的总工程师,他为我们解开了"明湖"相机的身世之谜.     

光诱导镀改善太阳电池填充因子的研究

本文采用常规的太阳电池工艺制备了一批单晶硅电池片,退火后得到了填充因子迥异的结果。比较了光诱导镀前后电池参数尤其是串联电阻,并分析了光诱导镀提升填充因子的机理。利用扫描电镜（SEM）观察了去除体银后的微观结构,证明了差填充因子太阳电池在光诱导镀后填充因子的提高得益于烧结中形成的银晶粒的充分利用。文中还提出了将光诱导镀应用于接触电阻较大的电池,如纳米柱电池和径向结电池的可能性。     

银硅纳米颗粒用于制备晶体硅太阳电池超高效陷光的研究

研究了制备硅纳米结构的方法,与之前的方法相比,本研究中的AgSi纳米颗粒能控制形成硅纳米结构的直径和深度,同时不需要光刻、反应离子刻蚀等高成本的复杂工艺.实验结果表明,将制备的硅纳米结构作为晶硅电池的绒面,在300～ 1000nm的波长范围内获得了低达5％的反射率;电池的表面复合与电极接触需要改进.     

Optimization of Al_2O_3/SiN_x stacked antireflection structures for N-type surface-passivated crystalline silicon solar cells

In the case of N-type solar cells,the anti-reflection property,as one of the important factors to further improve the energy-conversion efficiency,has been optimized using a stacked Al₂O₃/SiN_x layer.The effect of SiN_x layer thickness on the surface reflection property was systematically studied in terms of both experimental and theoretical measurement.In the stacked Al₂O₃/SiN_x layers,results demonstrated that the surface reflection property can be effectively optimized by adding a SiN_x layer,leading to the improvement in the final photovoltaic characteristic of the N-type solar cells.     

煤矸石粉煤灰制取铝硅铁合金的研究

介绍以煤矸石粉煤灰为原料，采用电热法还原制取含铝35～45％的铝硅铁合金。该合金可直接用作炼钢脱氧剂和某些金属的还原剂。     

基于稀释波导的InP衬底上高耦合效率、低偏振敏感度1.55μm波长光纤-波导耦合器

研究了一种用于边入射型探测器的InP基高效光纤-波导耦合器.它由10个周期的未掺杂120nm InP/80nm InGaAsP(1.05μm带隙)多层膜组成的稀释波导构成.采用半矢量三维束传播(BPM)方法以及中心差分格式,模拟了不同条件下的光纤-波导耦合效率,从而得到了最优耦合条件.对于TE偏振和TM偏振模,计算所得到的最高耦合效率分别为94%和92%.同时,计算表明,此类基于稀释波导的光纤-波导耦合器具有高偏振不敏感性,偏振敏感度低于0.1dB.     

光通信C波段硅基导模共振窄带滤波器的模拟

结合严格耦合波理论和遗传算法对C波段硅基导模共振滤波器进行了模拟分析.从模拟结果出发详细讨论了光栅周期、填充因子、光栅深度和入射角度对滤波器反射特性的影响.导模共振对光栅周期、填充因子、光栅深度和入射角度都有很高的敏感性,利用这一特点可以设计性能优异的硅基滤波器件.导模共振滤波器的共振波长峰值反射率达到了98.9%,峰值半高宽小于密集渡分复用(DWDM)O.8 nm的要求.

Abstract：

Simulated are silicon-based guided-mode resonant grating filters with narrow bandwidth for C-band optical communication.The effects of the characteristics of grating period,fill factor,the grating depth,the thickness of SiO_2 layer and incident angle on the reflection mechanisms of the filters are analyzed in detail based on the simulation results.Guided-mode resonant effect is very sensitive to such characteristics,which can be used to optimize silicon-based filters.The reflectance of the resonant wavelength of this filter reaches 98.9%,and the FWHM (full width at half maximum) is less than 0.8 nm limited by the DWDM (dense wavelength division multiplication) system.     

任意势垒隧穿几率的一种高精度数值算法

基于龙格-库塔算法求解薛定谔方程,并对获得的数值结果进行分析得出精确的量子隧穿几率.通过适当的处理,该方法适用于任意势垒的情形.利用该方法计算了多种结构的隧穿几率,如抛物线型势垒及双势垒,获得了高精度的隧穿几率.同时计算了MOS结构的隧穿电流密度,结果与Fowler-Nordheim隧穿完全吻合,表明了该方法的适用性.     

（英）W波段InP HBT 宽带高功率压控振荡器

本文介绍了一款具有较高输出功率和宽调谐频率范围的基波压控振荡器单片集成电路。其制作工艺为f_T =170GHz,f_max =250GHz的0.8um InP DHBT工艺。电路核心部分采用了平衡式考毕兹振荡器拓扑,并在后面添加了一级缓冲放大器来抑制负载牵引效应,并提升了输出功率。DHBT的反偏CB结作为变容二极管来实现频率调谐。芯片测量结果表明,VCO的频率调谐范围为81- 97.3GHz,相对带宽为18.3 %。在调谐频率范围内最大输出功率为10.5 dBm,输出功率起伏在3.5 dB以内。在该VCO的最大调谐频率97.3 GHz处相位噪声为-88 dBc/Hz @1MHz。在目前所报道的InP HBT基VCO MMIC中,本文在如此宽的频率调谐范围内实现了最高的输出功率。