GaAs(100)解理面的能带弯曲

在真空中解理后,用XPS测得了GaAs样品（110）断面能带弯曲的动态过程．两组重掺杂n型和p型GaAs样品的费米能级分别向禁带中间的方向移动了0.4eV和0．3eV.实验测得重掺杂n型和p型GaAs样品费米能级之差为1．3eV,它们的禁带宽度理论值为1．42eV,这说明结果是合理的．根据实验结果,对引起GaAs表面能带弯曲的可能原因进行了分析讨论．排除了本征表面态、真空中残留气体和X射线辐射等原因,认为解理过程在表面产生的缺陷和解理后表面晶格弛豫过程中产生的缺陷可能是导致能带弯曲的主要原因．     

3-6GHz宽带数字示波器检定自动化

随着数字技术和半导体技术的发展，数字示波器日益向宽带高速发展，带宽为0．1～6GHz间的各种型号的数字示波器在一些行业中发挥着重要作用。为对其准确计量，在以9500示波器校准仪为主实现3．2GHz以内数字示波器检定自动化的基础上，配置带宽检定可覆盖到6．4GHz的9500B示波器校准仪，从而搭建了另一套数字示波器自动检定系统。结构框图如图1所示。     

加载角度对层理页岩裂纹扩展影响的实验研究

采用分离式霍普金森压杆（SHPB）系统对页岩进行冲击实验,研究层理角度对页岩动态断裂过程的影响,在裂尖设置裂纹扩展计,借助高速摄影和数字图像相关（DIC）技术对页岩中心切槽半圆盘弯曲（NSCB）试件断裂的全过程进行研究,得到了不同加载角度下页岩的动态起裂韧度、裂纹扩展速度、断裂过程中应变场和水平位移场的变化规律。实验发现:不同加载角度下,页岩的动态起裂韧度具有显著的各向异性,加载角度与动态起裂韧度呈正相关;加载角度对试样的裂纹扩展速度具有显著影响,与裂纹扩展速度呈负相关;当冲击速度较低时,切槽方向是裂纹扩展的优势方向,而当冲击速度较高时,试样会产生沿层理弱面的次生裂纹,次生裂纹对试样的断裂具有显著影响。     

InP(110)理解面的能带弯曲

用XPS测得了真空解理后InP样品（110）表面能带弯曲的动态过程,并对引起InP表面能带弯曲的可能原因进行了讨论．排除了本征表面态、真空中残留气体和X射线辐射等原因,认为解理过程在表面产生的缺陷和解理后表面晶格弛像产生的缺陷可能是导致能带弯曲的原因．     

SiC埋层的制备及其红外吸收特性

采用metal vapor vacuum arc离子源的离子束合成方法，对单晶Si衬底注入C^＋离子，获得不同剂量下的SiC埋层．C^＋离子束的引出电压为50kV，注入的剂量为3.0×10¹⁷—1.6×10¹⁸cm^-2．通过红外吸收谱的测试和分析，表明SiC埋层的结晶程度依赖于剂量的大小．研究证实，可以在较低的平均衬底温度下（低于400℃）得到含立方相结构的SiC埋层． 关键词：     

C+离子注入Si单晶形成SiC埋层中Si2p的特征能量损失谱

利用metal vapor vacuum arc离子源产生的C⁺离子，注入单晶Si衬底，得到了SiC埋层.利用X射线光电子能谱，研究了SiC埋层中Si2p的特征能量损失谱.结果表明：Si2p的特征能量损失谱依赖于SiC埋层中C原子的浓度分布，并且与SiC埋层的有序度对应. 关键词：