化纤厂生产和作业计划总体优化的模型

本文建立了化纤厂的生产和作业计划总体优化的混合型非线性规划模型,并给出了求近似最优解的方法.生产计划和作业是企业计划管理中两个层次的工作,它们彼此联系,密切相关,对于企业的生产和经营的效果,起着重大的影响作用.然而,由于生产作业计划的优化问题往往是一个复杂的与组合优化、网络优化、排序、动态规划等相关的问题,所以,迄今为止还很少利用生产作业的优化模型求解来安排作业计划.有趣的是,对于象化学纤维等类型的工厂,不仅可以建立生产作业优化的数学模型,而且可以将生产计划和作业计划一起考虑,建立总体优化的数学模型,实现全面的优化.     

高分子量聚苯硫醚树脂合成方法的改进

以硫化氢，氢氧化钠和对二氯苯为原料，磷酸钠作助剂，在六甲基磷酰三胺中进行常压缩聚反应，所得产物以分析表明为线型结晶性高分子量聚苯硫醚树脂原粉，产率９１．４％～９７．５％，成本低，易大于规模生产，产品直接作抽丝试验以了高分子量聚苯硫醚纤维。     

基于双阈值视觉注意模型的图像关注焦点检测

图像关注焦点（FOA）检测是基于人眼视觉关注模型的图像感兴趣区提取的关键技术。为了更加精确、合理地搜索图像关注焦点,提出一种基于双阈值视觉关注模型的FOA检测算法。算法首先提取图像的亮度、颜色、方向和离散矩变换（DMT）特征,生成各个特征对应的特征图;然后将各特征图合并为一张包含多种特征的显著图;最后根据显著图的灰度直方图建立静态阈值与动态阈值,确定图像关注焦点的位置与数量。实验结果表明：新算法在图像关注焦点检测的准确性上较Itti模型有更为优秀的表现,更符合人眼视觉的关注习惯。     

基于三角波瓣混合器的超声速流场精细结构和掺混特性

在超声速吸气式混合层风洞中,采用基于纳米粒子的平面激光散射(NPLS)技术对平板混合层和三角波瓣混合器诱导的混合层流场精细结构进行了对比实验研究.上下两层来流的实测马赫数分别为1.98和2.84,对流马赫数为0.2.NPLS图像清晰地展示了Kelvin-Helmholtz涡、流向涡、波系结构以及大尺度涡结构的配对合并过程.通过对比分析时间相关的NPLS流场图像,发现了大尺度拟序结构随时间发展演化的非定常特性.基于流动显示结果,采用分形维数和间歇因子指标对流场结构和混合特性进行了定量分析.实验研究表明,三角波瓣混合器诱导的流向涡结构显著提高了上下两层来流的掺混效率,其流动远场的分形维数突破了平板混合层中完全湍流区的分形维数值,达到了1.88,流场结构表现出明显的破碎性,有利于流动在标量层面的扩散和掺混.流动间歇性分析表明,流向涡与展向涡的相互剪切作用主导着混合层的掺混特性,同时由于流向涡的卷吸作用,三角波瓣混合器诱导的混合层混合区域更大,更多的流质被卷入混合区完成混合.     

粘度法研究高分子溶液行为的实验改进(Ⅱ)

高分子在粘度计毛细管管壁上的吸附不仅会导致毛细管有效管径减小，而且可以导致毛细管界面性质发生显著改变，具体表现为测定高分子溶液流过时间t之前和之后纯溶剂的流过时间t0和t0′与高分子溶液流过时间t对浓度作图外推到浓度为零时的值t0^*并不一致。不同温度时聚乙烯吡咯烷酮（PVP）水溶液粘度测定结果表明，当吸附讷发子显著改变了毛细管界面性质时，需要将高分子溶液粘度测定方法由t/t0′改为t/t0^*。经过改进的粘度测定方法不仅更加普适合理，而且更加简单有效。     

酚羟基对木质素吸附层致密程度的影响

研究了酚羟基对木质素在固液界面上形成的吸附层致密程度的影响及作用机理.通过对碱木质素(AL)进行乙酰化处理制备了酚羟基含量显著减少的乙酰化木质素(ACAL).借助耗散型石英晶体微天平(QCM-D)研究了溶液环境中AL和ACAL所形成的单层吸附膜致密程度的差异,结合紫外-可见光光谱仪(UV)和原子力显微镜(AFM)研究了AL和ACAL分别与聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDAC)交替自组装所形成的多层吸附膜的致密程度在干燥状态下的差异.结果都表明,酚羟基的存在会使木质素吸附层致密程度降低.分析认为,酚羟基的存在不利于木质素中的芳香环形成共面结构,酚羟基含量降低后会引起芳香环间的共面性增强,促进形成致密的π-π堆积,从而使得木质素吸附层致密程度增大.     

I2界面修饰对全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池性能的影响

通过在 CsPbBr₃薄膜上旋涂一次 I₂的异丙醇溶液以修饰 CsPbBr₃吸光层,钝化 CsPbBr₃层表面缺陷,改善 CsPbBr₃薄膜形貌。同时通过利用环境友好的绿色溶剂水溶解 CsBr,显著提高了其溶解度,减少了旋涂次数,简化了电池制备流程。实验结果表明,在CsPbBr₃钙钛矿太阳能电池(perovskite solar cells,PSCs)中,使用5 mg·mL^-1 I₂的异丙醇溶液界面修饰的器件具有最佳光伏性能,其最高开路电压(open-circuit voltage,V_OC)为1.55 V,短路电流密度(short circuit current density,J_SC)为7.45 mA·cm^-2,填充因子(fill factor,FF)为85.54%,光电转换效率(photoelectric conversion efficiency,PCE)达到了9.88%。     

纳米氧化铜修饰的苯巴比妥分子印迹传感器的制备及其电化学性能

为了改善分子印迹传感器的灵敏度,在四丁基高氯酸铵的支持电解质溶液中,以甲基丙烯酸为功能单体,马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂在纳米氧化铜修饰过的玻碳电极上电聚合了一种苯巴比妥(PB)识别性能的分子印迹传感膜.采用循环伏安(CV)法、差分脉冲伏安(DPV)法及交流阻抗(EIS)法对这种纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学性能进行了研究,结果显示纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学性能完全不同.X射线衍射(XRD)证实纳米粒子为氧化铜.采用扫描电镜(SEM)对纳米氧化铜修饰过的印迹传感器的形貌进行分析,发现纳米氧化铜分散在电极表面,改善了修饰印迹传感器的识别点.差分脉冲伏安法(DPV)表明苯巴比妥的浓度在1.0×10-8-1.8×10-4mol·L-1范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9994);检出限2.3×10-9mol·L-1(信噪比(S/N)=3).研究结果表明纳米氧化铜修饰过的印迹传感器具有较高灵敏度及选择性.此印迹传感器能用于实际样品中苯巴比妥的检测,加标回收率在95.0%-102.5%.     

Improved method for analyzing quasi-optical launchers

An improved method for analyzing the radiation characteristic of the quasi-optical launcher is presented. The launcher is decomposed into an open-ended waveguide and a helical cut according to the proposed method. The radiation from the open-ended waveguide is obtained by using the Stratton-Chu formulation. The helical cut＇s radiation is calculated based on its current distribution, gained by several iterative computations, which helps to improve the calculation accuracy since the diffraction effect introduced by the helical cut is considered during the calculation. The proposed method is used to study different launches, and the results are compared with the existing results. Good agreement is achieved between the results obtained from our proposed method and the reported results. The present results provide an alternative for analysis and synthesis of the optical-mode converter.     

Transient transition behaviors of fractional-order simplest chaotic circuit with bi-stable locally-active memristor and its ARM-based implementation

This paper proposes a fractional-order simplest chaotic system using a bi-stable locally-active memristor. The characteristics of the memristor and transient transition behaviors of the proposed system are analyzed, and this circuit is implemented digitally using ARM-based MCU. Firstly, the mathematical model of the memristor is designed, which is nonvolatile, locally-active and bi-stable. Secondly, the asymptotical stability of the fractional-order memristive chaotic system is investigated and some sufficient conditions of the stability are obtained. Thirdly, complex dynamics of the novel system are analyzed using phase diagram, Lyapunov exponential spectrum, bifurcation diagram, basin of attractor, and coexisting bifurcation, coexisting attractors are observed. All of these results indicate that this simple system contains the abundant dynamic characteristics. Moreover, transient transition behaviors of the system are analyzed, and it is found that the behaviors of transient chaotic and transient period transition alternately occur. Finally, the hardware implementation of the fractional-order bi-stable locally-active memristive chaotic system using ARM-based STM32F750 is carried out to verify the numerical simulation results.