用脉冲激光同轴全息技术测量微射流

强冲击载荷下自由表面的粒子喷射现象还没有被清楚认识，很难从理论上给以准确的计算模型，因而从实验测定材料在冲击载荷下自由面面喷射物质的分布和粒子尺寸大小就显得非常重要。测量微粒场的脉冲激光同轴全息技术，具有在纳秒或更在短时间内“固化”运动微粒场、测量精度高、景深长、光路简单和获得的信息量大等优点。这些优势使得脉冲激光同轴全息技术成为研究微喷射场的重要测试手段之一。     

Ce偶-偶同位素低激发态性质的IBM2描述

通过考虑同类核子相干对间的四极相互作用，在IBM2中对Ce偶－偶同位素^128Ce-^138Ce的低激发态能谱和E2跃迁几率及分支比进行了理论分析，计算结果有效地改善了IBM中这些核的γ带能谱的Staggering现象描述，与实验观察到的低激发态结果基本一致。     

镉(Ⅱ)与对苯二甲酸和2,2''''-联吡啶配合物光谱性质的理论研究

对镉(Ⅱ)与对苯二甲酸和2,2'-联吡啶配合物进行几何优化,在优化构型的基础上分析了其吸收光谱.结果表明主要贡献的激发态为16,17和26激发态而不是第一激发态,振子强度f为0.205 2,0.320 2和0.323 4,对应的吸收波长为308.57,307.33和258.35 nm,与实验值310和253 nm相近.     

桥联双β-环糊精对N-[4-(1-芘基)]丁酰-D/L-苯丙氨酸的手性识别及机理研究

利用紫外-可见吸收和荧光发射光谱, 结合非线性最小二乘法拟合曲线以及分子力学(MM2)模拟系统地研究了手性分子N-[4-(1-芘基)]丁酰-D/L-苯丙氨酸(PDP和PLP, 总称PPs)与β-环糊精(β-CD)、 2-位硒桥联双β-CD(2-SeCD)和2-位碲桥联双β-CD(2-TeCD)的包结能力大小及这3个环糊精对PPs手性识别能力的差异和识别机理. 研究结果表明, PPs不能与单疏水空腔的β-CD形成很好的包结复合物, 与具有较长桥联链的2-TeCD结合能力最强. 2-TeCD与PDP和PLP的结合常数分别为2.33×104和6.07×103 L/mol, 对PPs的手性识别比达到KD/KL=3.84, 高于2-SeCD(KD/KL=2.61). 用MM2模拟得出了PPs与这两个双环糊精形成复合物的三维结构: PPs的绝大部分位于双环糊精两个空腔之间, 但是在这两个复合物中, 苯环与芘环所成的二面角不同. 此外, PPs与这两个双环糊精作用时均存在明显的氢键相互作用, 且2-TeCD强于2-SeCD.     

堆积模型及其应用 Ⅰ.三氯化镧尿素配合物[LaCl_2(urea)_6]·Cl分子结构的推测与测定

镧系元素具有形成高配位数的特点,但由简单配位形成的多面体,最高配位数只能达到九,例如,[Ln(H_2O)_9]~(+[2])。有些从化学式来看符合九配位的化合物,如LnCl_3(H_2O)_6实际结构是八配位[LnCl_2(H_2O)_6]~(+[3])或六配位[LnCl_3(H_2O)_3]·3H_2O~[4])。这种情况促使我们对另一系列化合物LnCl_3(urea)_6~[5]产生兴趣。我们根据堆积模型推测LaCl_3(urea)_6的实际结构应当是[LaCl_2(urea)_6]~+Cl~-(见图1、2)。培养了这一化合物的单晶,进行了结构测定。本文报道有关结果。     

巯基棉分离光度法测定纯铂中金和钯

在0.5—7M盐酸溶液中,金和钯可被巯基棉定量吸附,同时少量铂也被吸附(约1—3%)。若在吸附前,将溶液先经盐酸和过氧化氢氧化处理,铂的吸附率可大大降低,在6M盐酸溶液中降至0.01%以下。在此条件下,大量铜、镍、铁、钴和其他铂族元素均不被吸附。金和钯被巯基棉吸附后难于洗脱,我们采取在少量氯化钠存在下用硝酸、高氯酸和硫酸冒烟,彻底破坏巯基棉,然后用盐酸和过氧化氢溶解。所得溶液适合于用结晶紫光度法测定金,继以双十二烷基二硫代乙二酰胺(DDO)光度法测定钯。金和钯量在2—30微克/10毫升范围内符合比尔定律。方法简便、快速,对纯铂中0.0005%以上金和钯的测定其相对偏     

自掺杂La1—δMn1—5O3化合物的晶体结构和巨磁电阻效应

采用溶胶－凝胶工艺制备了Ｌａ１－δＭｎ１－δＯ３化合物，研究了烧结条件的改变对材料的结构、磁性、导电性、磁电阻效应的影响，首次２发现Ｌａ１－δＭｎ１－δＯ３化合物的电阻－温度曲线的双峰现象。     

化学模式识别技术评价中药厚朴质量的研究

本文对不同产地和市售的二十四种厚朴药材及饮片的萃取液进行了高效液相色谱、气相色谱及紫外光谱分析;对所得数据用主成分分析进行分类,概括出不同样品化学成分的异同,认为大叶木兰可做为厚朴的代用品,而在陕西安康购得的样品不应做厚朴使用,后者经生药学鉴定为厚朴伪品凹叶木兰。化学模式识别技术可为寻找药材的代用品、评价中药质量及鉴定伪劣药材提供依据。     

Al/AlN多层膜的摩擦磨损性能研究

采用柱状靶磁控溅射系统制备Al/AlN纳米多层膜,采用纳米压痕仪测量Al/AlN纳米多层膜的纳米硬度,在UMT-2M型摩擦磨损试验机上评价其摩擦磨损性能.结果表明:当AlN层较厚时,薄膜在很短时间内被磨穿;调节Al/AlN层厚比为2.9/1.1时,薄膜的摩擦磨损性能明显提高;当保持Al/AlN层厚比为2.9/1.1、变化多层膜的调制周期时,薄膜的摩擦系数较低,但硬度较低的薄膜由于承载能力不够,不能够保持优良的摩擦磨损性能.     

Analysis on electrical characteristics of high-voltage GaN-based light-emitting diodes

<正>In order to investigate their electrical characteristics,high-voltage light-emitting-diodes(HV-LEDs) each containing four cells in series are fabricated.The electrical parameters including varying voltage and parasitic effect are studied. It is shown that the ideality factors(IFs) of the HV-LEDs with different numbers of cells are 1.6,3.4,4.7,and 6.4.IF increases linearly with the number of cells increasing.Moreover,the performance of the HV-LED with failure cells is examined.The analysis indicates that the failure cell has a parallel resistance which induces the leakage of the failure cell.The series resistance of the failure cell is 76.8Ω,while that of the normal cell is 21.3Ω.The scanning electron microscope(SEM) image indicates that different metal layers do not contact well.It is hard to deposit the metal layers in the deep isolation trenches.The fabrication process of HV-LEDs needs to be optimized.