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采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p 层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用. 相似文献
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利用固相反应法制备了CoTeMoO6多晶粉体,研究了不同烧成温度下CoTeMoO6试样的物相组成和显微形貌,对CoTeMoO6粉体的红外和紫外-可见光谱特征进行了研究。研究结果表明,烧成温度为540~560℃,可制备出纯度高、结晶度好的单一CoTeMoO6相。将合成粉体在600℃下进行保温处理,微晶出现了沿(001)晶面的择优生长,可观察到一组平行解理;CoTeMoO6在中红外波段具有透光波段宽和透过率高的特点,使CoTeMoO6可以作为潜在的中红外光学材料;CoTeMoO6在可见光区域(450~650nm)出现了一个吸收带,是由Co2+外层电子发生d-d跃迁所致。 相似文献
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微波消化面粉的关键步骤 总被引:1,自引:0,他引:1
微波消化法是消化面粉样品的较好方法之一。本文从取样量、样品的预处理、溶剂的选择、微波加热方式及加热时间、冷却方法等几个环节对面粉样品在微波消化过程中应注意的一些问题进行了探讨,总结出微波消化面粉样品时适宜的条件和操作方法:准确称取1.0g样品于消解罐内,加1mL去离子水将样品充分润湿,然后加入10mL硝酸和2mL过氧化氢,按250W(3min)→0W(5min)→250w(5min)→400W(5min)→600W(5min)的消解程序执行样品消化,消解程序执行完毕约5min后取出消解罐,在通风橱中通风冷却25min。 相似文献