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研究了Si掺杂对MOCVD生长的(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响.样品分为两类:一类只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构;另一类为完整的多量子阱LED结构.对于只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构的样品,掺Si没有改变量子阱发光波长,但使得量子阱发光强度略有下降,发光峰半高宽明显增大.这应是掺Si使量子阱界面质量变差导致的.而在完整LED结构的情况下,掺Si却大大提高了量子阱的发光强度.相对于未掺杂多量子阱LED结构,垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍,并对这一现象进行了讨论. 相似文献
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ZnS 和 ZnSc 是宽禁带的Ⅱ—Ⅵ族化合物,是制备光电器件十分理想的材料,其光谱可复盖从可见到紫外的范围。对于这样的应用,生长高质量的外延薄膜是十分重要的。但是因为没有质量足够高的块状单晶可以用作衬底材料,所以这些材料外延生长的研究集中在异质外延上。例如,GaAs 特别被选用为外延生长 ZnSc 的衬底,因为这二种材料的晶格常数差异很小。但是这个屏质外 相似文献
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用溶剂蒸发法将单分散SiO2微球组装成三维有序结构的胶体晶体,用金属有机化学气相沉积技术向SiO2胶体晶体中填充高折射率材料InP,获得了InP-SiO2两种介质复合的三维光子晶体,通过扫描电子显微镜、X射线衍射、能谱和紫外-可见光谱仪对InP-SiO2三维光子晶体的形貌、结构和光学性能进行了观察测试。研究结果表明:InP在SiO2微球空隙间具有较高的结晶质量,填充较致密均匀、与相同晶格周期的SiO2光子晶体相比,InP-SiO2光子晶体的反射光谱的峰值波长发生明显的红移。 相似文献
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介绍了双基色LED电子显示屏的原理和结构,并分析了其设计的几种方法,利用直接扫描、模拟传送方式可以降低成本,提高性能。 相似文献
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The steady and dynamic properties are comparatively simulated results show that the n-doped LED exhibits is mainly attributed to the higher carrier radiative experimental results perfectly. investigated for the n-doped and non-doped InGaN LEDs. The the superior luminescence and modulation performance, which rate of n-doped LED. The results can explain the reported 相似文献
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研究了Si掺杂对MOCVD生长的(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响.样品分为两类:一类只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构;另一类为完整的多量子阱LED结构.对于只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构的样品,掺Si没有改变量子阱发光波长,但使得量子阱发光强度略有下降,发光峰半高宽明显增大.这应是掺Si使量子阱界面质量变差导致的.而在完整LED结构的情况下,掺Si却大大提高了量子阱的发光强度.相对于未掺杂多量子阱LED结构,垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍,并对这一现象进行了讨论. 相似文献