磁增强反应离子刻蚀系统中的发射光谱诊断技术

利用发射光谱诊断技术研究了磁增强反应离子刻蚀系统中ＣＦ４＋Ｏ２的辐射谱、谱线成分及强度，分析了谱线强度与射频福射功率、氧气含量的关系，并与没有磁场存在时的情况作了比较。     

“芯”世界大战：一场没有硝烟的生死较量

虽然IDF2012结束不久,但我们却再一次感受到了芯片领域引发的激烈争夺。此次IDF大会主题为＂未来在我‘芯’＂,更是一针见血地表明了芯片领域在未来市场上的重要地位。英特尔和ARM正互相朝着对方的领域发起攻势,我们也将在多个市场领域看到更加激烈的生死争斗。     

小身材大安全：USB存储防数据泄密十妙招

USB存储设备,因其小巧便携广受大众欢迎,即使是在企业级领域,也常常被用作数据的临时拷贝和共享。然而,正是因为其带来的便利性,在数据安全方面存有潜在的风险,尤其是在企业级领域。很多数据信息都属高度机密,一旦外泄或者受到破坏,其损失非常巨大。     

2012年存储行业发展的十大趋势

全球最大的磁带机及磁带自动化供货商昆腾,为我们展示了2012年存储行业发展的10大趋势,下面我们一一为您呈现： 1.Scale-out存储更加普遍 Scale-out横向扩展存储不再是高性能计算环境的专利,人们将更加注重高附加值和高投资回报率。横向扩展存储将成为匹配性能和容量实现更快投资回报的必然要求。     

Co和Cu薄膜电学特性和连续性特征的判据

采用离子束溅射沉积了不同厚度的Co膜和Cu膜,利用四电极法测量了薄膜的电阻率,从而得到了Co膜和Cu膜的电导率随薄膜厚度的变化关系。实验结果表明,Co膜和Cu膜的电学特性都具有明显的尺寸效应。比较了同时考虑表面散射和晶界散射的电导理论得到的电导率公式与实验结果,不同薄膜厚度电导率的理论结果与实验结果符合较好。提出了厚度作为金属薄膜生长从不连续膜进入连续膜的一个特征判据,并利用原子力显微镜(AFM)观测了膜厚在特征厚度附近的Co膜和Cu膜的表面形貌。     

快脉冲直流TIG焊原理及焊铝合金之频率效应的研究

一、快脉冲直流TIG焊的基本原理快脉冲直流TIG焊是指脉冲电流在1000～20000周/秒范围内变化的TIG焊。它是在直流电源的基础上利用电子开关获得一种规则的(矩形波或三角波)的断续电流,辅以较高的空载电压的维弧电流的焊接方法。其波形见图1及图2。     

桐溪湖(含水道)湖泊工程出水口的消能防冲设计

受城市规划、市政及城市防洪工程等较多因素的影响和制约,同时要兼顾城市水体、景观工程建设的需要,对城市中涉河、湖等水工建筑物的消能工设计提出了较高要求。文章介绍了长沙大河西先导区桐溪湖工程出水口采用撞击式跌塘消力池的消能防冲设计在充分利用下游水深的同时达到尽量减少消力池结构尺寸、减小工程量和工程占地的目的以满足城市市政建设的要求。     

正电子湮没研究Al、Nb共掺CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数机理

关于CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷的高介电常数机理,目前广泛接受的是非本征的内阻挡层电容模型。该模型认为在多晶中元素变价、缺陷和非化学计量比等导致的半导化晶粒被绝缘晶界层,即内阻挡层所包围。其中内阻挡层的厚度对材料的介电性能影响较大,而扫描电子显微镜（SEM）测试表明样品晶界呈稀烂的果酱状,SEM难以测量晶界区域绝缘内阻挡层厚度。本文采用正电子湮没技术表征其厚度,通过对CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷共掺不同浓度的Al、Nb（CaCu₃Ti_4-xAl_0.5xNb_0.5xO₁₂,x=0.2%、0.5%、5.0%）改变其晶粒和晶界的微观结构,研究CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷高介电常数机理。正电子湮没结果显示,掺杂样品符合多普勒展宽谱S参数的变化趋势与平均寿命的变化趋势一致。x=0.5%掺杂样品的介电常数最高,其平均寿命、S参数和湮没长寿命成分均最小,阻挡层最薄。实验结果验证了描述CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷高介电常数机理的内阻挡层电容模型的预测。