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基于磁场对电流的作用力的观点,计算分析了真空电弧自生磁场的收缩效应及对分断电弧的影响:分析讨论了外加磁场中纵向磁场分量和径向磁场分量对减小自生磁场收缩效应的作用;计算比较了线圈式结构触头产生的外加磁场的纵向磁场分量和径向磁场分量在空间分布的比值,进一步探讨了纵向磁场提高真空灭弧室分断性能的机理。 相似文献
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本文应用相似理论得出,真空灭弧室中电弧运动速度与电流强度成线性关系的相似准则,和极限开断电流与触头直径、开距间的经验公式。认为用小电流模型来研究大电流真空灭弧室是可行的。 相似文献
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提高真空断路器容性开断性能方法的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用大电流对真空断路器的灭弧室进行老炼,可以提高弧后真空间隙的耐电压强度,减少断路器发生重燃及重击穿的概率,相应地改善真空断路器开断容性负载的特性。通过比较同种触头老炼前与老炼后FN 图所提供的微观信息,从触头材料的功函数和电场增强因子β两方面对电弧老炼作用的机理进行阐述。 相似文献
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This work described the electrical characteristics of a kind of amorphous Gd2O3-doped HfO2 insulator for high-k metal-oxide-semiconductor(MOS) capacitors.Compared with pure HfO2,the doped HfO2 with an optimum concentration of Gd2O3 as MOS gate dielectric exhibited a lower leakage current,thinner effective oxide thickness and less fixed oxide charges density.The result indicated that Gd2O3 doping power of 60 W exhibited the best electrical characteristics,maximum capacitance,lowest leakage current of 9.35079... 相似文献
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本文分析了熔断器短路故障电流的分断过程,并建立描述熔断器燃弧过程的电弧数学模型。用此模型对熔断器分断过程进行分析和计算,其结果和试验结果进行比较,发现两者吻合得较好。 相似文献
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