食管静脉曲张套扎术18例疗效分析

探讨内镜下套扎治疗肝硬化食管静脉曲张(EV)疗效,并与药物组进行对比分析。套扎治疗组效果优于药物治疗组,故EVL是治疗肝硬化EV破裂出血的有效手段之一,它既可紧急止血,也是预防EV再出血的长期处理措施,且操作简便易行。     

微电子专业的通才和专才培养模式

国内微电子产业迅猛发展,支持在低端产品的基础技术人员的储备已经达到相当规模,但自主研发高端产品的专业人才匮乏。目前高等学校微电子专业改革中,在通才和专才培养模式之间很难找到平衡点。本文通过对比中美的微电子人才培养模式,讨论微电子专业通才和专才的培养模式。     

从表层定量解读描绘的街路景观——《清明上河图》的成分分析

作为定量解读描绘的街路景观的继续,以《清明上河图》为分析对象,应用成分分析的方法,通过对共通成分和示差成分的分析,得出了《清明上河图》中所绘表层的一般型和示差成分的结构,以此解释《清明上河图》中所绘表层的统一性和多样性的并存.     

基于电阻网络修调的高精度基准源

针对高精度集成电路系统,工艺条件导致的误差需要通过修调弥补。基于 0.18 μm CMOS 工艺设计了一种针对片上基准源的修调电路,通过调整数字输入信号,对电阻网络修调电路进行控制,通过重配置输出级电阻比例,从而达到对基准源电压的调整。基准源采用改进的 Neuteboom 带隙电路,在 5 V 电源电压的工艺条件下进行仿真测试,在-40～125 ℃温度范围内,实现了 2.98×10^-6/℃的温度系数。通过电阻网络修调的基准电压变化范围为 2.3840～2.5154 V,电压修调步长为 2 m V。     

基于双极型晶体管的温度传感器

提出了一种基于双极型晶体管（BJT）宽温度范围的温度传感器。该温度传感器电路通过两个温度特性互补的电流产生一个高斜率的电压,采用电流增益补偿技术和斩波稳定技术来提高传感器输出电压的线性度,同时可通过合理调节电阻值和电流镜比例获得不同的输出电压。在0.18μm HVCMOS工艺下对传感器进行仿真,结果表明,在-55～125℃的温度范围内,温度传感器的温度系数为11.2 m V/℃,误差在-0.8～0.8℃。     

爆炸冲击波作用下建筑结构动力特性的数值模拟与试验

利用ALE算法和炸药爆轰产物JWL状态方程,采用动力分析有限元程序LS-DYNA3D,对2层框架结构建筑物在爆炸冲击波作用下的动力特性进行数值模拟,并通过结构模型的爆炸试验,得出不同位置处质点压力和加速度时程曲线.研究表明,数值模拟与现场试验结果基本吻合,汽车炸弹在近距离爆炸时对建筑物的破坏威胁较大.     

固溶处理对2205双相不锈钢在卤水中点蚀的影响

利用电化学方法对不同固溶处理的2205双相不锈钢在卤水中的临界点蚀温度及临界点蚀电位进行了研究,结合显微金相技术研究了固溶处理温度对相含量及耐蚀性能的影响。结果表明：2205双相不锈钢在卤水中的临界点蚀温度介于55～60℃之间,临界点蚀电位随着环境温度的升高而降低;金属碳化物在固溶处理温度750～900℃范围内析出,奥氏体含量急剧减少材料耐蚀性能严重恶化;固溶处理温度1100℃保温1 h的试样耐蚀性能最佳。     

一种低压高精度CMOS带隙基准

设计了一种改进的带隙基准电压源,通过采用分段电流补偿的方法,实现了低压高精度供电。研究基于TSMC 0.35μm CMOS 3V工艺基础,重点考虑主要工作温度区域输出电压随温度变化的精度问题。仿真结果表明,该电路可提供低至500mV的低压,实现了高阶电流补偿,在-40℃～+100℃温度范围内其温漂系数仅为3.7ppm/℃,在芯片主要工作温度范围内,输出基准电压最大偏差小于8μV,低频时电源抑制比为-70dB。     

Fe—P非晶态合金电镀层性能研究

在以氯气化亚铁和次磷酸钠为主盐的电解液中获得含Ｐ量Ｐｐ＝１０％～１４％的Ｆｅ－Ｐ非晶态合金镀层,测量了镀层的差热分析同线和经不同热处理后镀层的显微硬度,据此分析了加热对镀层结构的影响,直流电镀所得Ｆｅ－Ｐ非晶合金镀层很脆,使用交直流迭加电流进行电镀可以使镀导脆性大小减小。