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用X射线光电子能谱(XPS)研究了GaAs(100)面基片的化学清洗、热净化、(Cs,O)激活后加热的处理效果。GaAs的氧化过程是:首先,As氧化为低价态,然后Ga被氧化,再就是As氧化为高价。确保样品从刻蚀清洗到超高真空环境中,表面Ga没有被氧化,就可在较低的温度热净化,获得As稳定的且原子级清洁的GaAs表面。净化后GaAs表面Ga含量越高,则(Cs,O)激活后形成氧化物越多,从而形成了界面势垒,使电子逸出概率降低。 相似文献
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用变角X射线光电子能谱 (XPS)技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺 ,定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成。界面氧化物是由于O原子穿过激活层 ,扩散到GaAs与 (Cs,O)激活层的界面上而形成的。导入过量O会增加O GaAs界面层的厚度 ,而对 (Cs,O)激活层厚度影响较小。在激活过程中 ,严格控制和减少每次导入的O量是减少界面氧化层厚度 ,提高灵敏度的重要途径。在第一步激活后的阴极样品 ,通过较低温度的加热和再激活 ,能获得比第一步高出 30 %的光电灵敏度的原因是较低温度加热减少了界面氧化层的厚度和界面势垒 相似文献
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因子分析法是利用各种谱峰的峰形进行成分定量分析的方法,广泛应用于多种成分的混合物、化合物的谱峰分析。通过对因子分析法(FA)的数学过程及其物理意义的进一步分析,对应用 FA 对氮化钛的俄歇电子谱(AES)叠峰进行谱蜂分解和定量计算进行了研究。由于缺乏纯 N 谱峰,采用化合物(Si_3N_4、BN)中的 N 谱和纯 Ti 谱作为 TiN_x 谱中 N 和 Ti 的标准谱峰。为解决化学效应影响定量计算的问题,提出了两次迭代的分析方法。这种分析是以线性分析为基础的非线性的处理过程。应用 FA 法的两次迭代分析获得了较好的 N/Ti 原子比,分解了Ti 和 N 的叠峰,分解的峰形叠加得到的峰形与原峰形拟合的很好。 相似文献
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为探索砷化我阴极的光电灵敏度的影响因素,利用X射线光电子能谱、二次离子擀谱和电化学方法测试和分析了国内和国外GaAs光阴极材料GaAs/AlGaAs的C,O含量的空穴深度分布。实验发现,国内的材料在GaAs/AlGaAs 面及AlGaAs层的O含量分别为7.6%和10.6%,C深度分别为5.2×10^18atoms/cm^3和1.0×10^19atoms/cm^3,而国外的材料的O含量相应为1.0 相似文献
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用变角X射线光电子能谱(XPS)技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺,定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成。界面氧化物是由于O原子的穿过激活导,扩散到GaAs与(Cs,O)激活层的界面上而形成的,导入过量O会增加O-GaAs界面层的厚度,而对(Cs,O)激活层厚度影响较小,在激活过程中,严格控制和减少每次导入的O量是减少界面氧化层厚度,提高灵敏度的重要途径,在第一步激活后的阴极样品,通过较低温度的加热和再激活,能获得比第一步高出30%的光电灵敏度的原因是较低温度加热减少了界面氧化层的厚度和界面势垒。 相似文献
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Cs/p-GaAs(100)表面的变角XPS研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在实验数据的基础上 ,采用变角XPS分析表面层状结构的计算程序 ,应用了新算法 ,使该程序能快速可靠地计算多层多种组分的含量和层厚度。计算了Cs吸附在清洁p GaAs(1 0 0 )表面上的Cs层覆盖率及弛豫层的厚度和组分。在Cs/GaAs达到峰值光电发射时 ,Cs覆盖率为 0 71个单层 ,Ga与As弛豫层厚度为 2 3个单层 ,Ga相对As轻微富集。 相似文献
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用溶胶-凝胶方法在Si上成功地制备了钙钛矿型的PbTiO3薄膜。X射线衍射结果显示,在热处理温度为750 ̄900℃范围内,随温度升高,薄膜由多晶转变为定向结晶。X射线光电子能谱分析发现,薄膜表面存在SiO2薄层,其厚度大约为0.6nm,该薄层是在制膜过程中衬底Si通过PbTiO3薄膜扩散到表面与大气中的O2反应而形成的。在750℃热处理的薄膜,膜层中不含SiO2,但温度升高,膜层中存在SiO2成分 相似文献