喷射沉积过程中气体流场的测定及数值模拟

采用组合式皮托管测量的方法测量了喷射沉积过程中的雾化气体流场,并基于神经网络的方法对流场进行数值模拟,获得了较为精确的雾化气体压力与流场中轴向气体速度之间的关系,实现了对不同气压下气体流场的预测。     

原位合成MoSi_2-SiC复合材料的室温增韧

原位合成 ＭＯＳｉ２－ＳｉＣ复合材料的断裂韧性明显高于单一ＭｏＳｉ２的断裂韧性.组织结构的ＴＥＭ与ＨＲＥＭ研究结果表明：原位合成 ＭｏＳｉ２／ＳｉＣ界面为直接的原子结合,无ＳｉＯ２非晶层存在结合对该复合材料的ＫＩｃ断口形貌及压痕裂纹连续扩展路径的观察分析表明,其室温增韧机制为 ＭｏＳｉ２－ＳｉＣ界面间较高的结合力、ＭｏＳｉ２基体晶粒细化及裂纹偏转和桥接．     

原位合成MoSi_2-SiC复合材料的高温强化

采用高温压缩实验研究了不同体积分数 ＳｉＣ含量对原位合成 ＭｏＳｉ２—ＳｉＣ复合材料在 １０００－１４００℃ 的屈服强度及流变应力的影响结果表明,与单－ ＭｏＳｉ２材料相比,复合材料的高温强度随 ＳｉＣ含量的增加而明显提高．高温屈服强度 σｙ和第二相 ＳｉＣ粒子间距λＳ服从σＹ＝σ０＋ｋλＳ－１／２关系式结合组织结构的研究结果对其相间障碍强化的高温强化机制进行了初步探讨．     

工业X射线防辐射厂房的设计思路研究

工业X射线防辐射厂房的设计非常重要,根据辐射防护的基本原则和国家的相关规定,工业X射线可以对厂房中的压力容器设备、厂房材料、零件、部件等方面进行无损检测,也可以对厂房的屏蔽厚度进行探测和计算,在探测的过程中,X射线必须按照国家《电离辐射防护和辐射源安全基本标准》中的相关规定进行检测,设备和厂房检测的结果也要符合该规定所列出的标准。论文主要利用X射线对厂房屏蔽厚度以及厂房中的压力容器设备厂房材料、零件、部件等方面进行检测,为X射线防辐射厂房的设计提出几点合理的建议。     

原位合成MoSi2—SiC复合材料的室温增韧

原位合成MoSi2-SiC复合材料的断裂韧性明显高于单一MoSi2-SiC的断裂韧性,组织结构的TEM与HREM研究结果表明：原位合成MoSi2-SiC／SiC界面为直接的原子结合,无SiO2非晶层存在,结合对该复合材料的KIc断口形貌及压痕裂纹连续扩展路径的观察分析表明,其室温增韧机制为MoSi2-SiC界面间较高的结合力,MoSi2基体晶粒细化及裂纹偏转和桥接。     

喷射沉积过程的计算模型

模拟了喷射沉积过程中的雾化过程;描述了熔滴在飞行中的动力学过程及凝固的热力学过程;建立了熔滴速度、温度、固相分数等参数与熔体过热度、气流速度之间的计算模型;通过对810℃的液态合金的数值计算,讨论了部分独立参数对该过程的影响.     

原位合成MoSi2-30%SiC复合材料的高温蠕变行为

研究了含30％SiC（体积分数）的热压原位合成MoSi2基复合材料及对比用的商用MoSi2与SiC混粉热压材料在1200－1400℃的压缩蠕变行为。结果表明，在60－120MPa应力条件下，原位合成复合材料的稳态蠕变速率都可维持在10^-7s^-1量级或更低的水平。高于1300℃原位合成材料的稳态蠕变速率明显低于商用混粉材料的主要原因是MoSi2／SiC相界面为纯粹的原子结合，无SiO2非晶相存在，蠕变机制为位错蠕变，MoSi2基体中的位错类型为＜110＞为＜100＞     

基于Web的大学物理实验教学软件的设计与实现

为了充分利用实验室的仪器设备，提高实验室的管理效率，现介绍一个利用ASP和Access数据库技术开发的大学物理实验教学软件，同时对开发环境、系统的开发原理、系统的功能特点和设计方案进行阐述。该软件可以使教师和学生通过网站查询本学期的实验安排，方便地查看实验演示和实验仿真，对实验数据结果进行录入、查询和校验，其中还包含了一些对基本实验仪器及物理常识的介绍等。该软件为教师和学生提供了极大的便利，为以后开放式实验室的建立创造了条件。     

人工神经网络方法在Osprey过程中的应用

以BP反传理论为基础,建立了对Osprey过程的前向多层神经网络,并对其进行测试.利用这一方法研究了Osprey过程中部分参数对孔隙度的影响.结果证明该网络较好地实现了学习和预测.     

High temperature creep behavior of in-situ synthesized MoSi_2-30%SiC composite

The compressive creep behavior at 1200～1400℃ of an in-situ synt hesized MoSi2-30%SiC (volume fraction) composite and a traditional PM MoSi2 -30%SiC (volume fraction) composite is investigated. The creep rate of the in -situ synthesized MoSi2-30%SiC (volume fraction) composite is about 10- 7s-1 under stress of 60～120MPa, and significantly lower than that made by PM method above 1300℃. The reason is that the interface be tween SiC particle and MoSi2 matrix in in-situ synthesized SiCp/MoSi2 is of direct atomic bonding without any amorphous glassy phase, such as SiO2 stru cture. Creep deformation occurs primarily by dislocation motion and the dislocat ions have Burgers vectors of the ty pe of 〈110〉 and 〈100〉.