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缓存技术是数据命名网络(Named data networking,NDN)的关键技术之一. NDN传统的LCE缓存策略会造成较大的冗余. 改进的RCOne策略采用随机放置的方法,没有利用任何内容、节点信息,对网络缓存性能的提升有限. Betw策略只考虑到节点介数,导致高介数节点缓存更替频繁,当节点缓存容量远小于内容总量时,缓存性能下降. 为了解决这些问题,本文提出一种结合内容热度与节点介数的新型缓存策略HotBetw(Hot content placed on node with high Betweenness),充分利用内容与节点信息选择最佳的位置放置缓存. 仿真实验表明相对于典型NDN缓存策略,HotBetw缓存策略在提高缓存命中率、降低平均跳数方面具有很好的效果. 相似文献
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采用不同条件电化学沉积法在氧化铟锡(IT O )导电玻璃基底上自组装生长了一维ZnO阵列。利用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM )对其结构和形貌分别进行表征。结果表明,以种晶预生长时间为40 s的样品为衬底,Zn2+浓度为0.005 mol/L ,CTAB浓度为0.005 mol/L ,HMT浓度为0.01 mol/L ,沉积时间为10 min ,沉积电位为0.90 V条件下,能够制备出高度取向且致密的一维氧化锌阵列。 相似文献
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采用自制的液位沉降制备薄膜装置在普通玻璃衬底上沉积了ITO薄膜,并对实验条件进行正交设计以考察制备ITO薄膜的最优条件。结果表明,采用液位沉降法成功地制备出ITO薄膜。该装置结构简单、操作方便。影响ITO薄膜光电性能的主要因素是镀膜层数,在进行的实验中,制备ITO薄膜的优化条件为:注射回抽速度为2.5cm/min,膜层数为20层,装置倾斜角度为30°,在300℃下预处理5min,500℃下退火处理2h,得到的薄膜的透光率为88.3%,方块电阻为970Ω/□。 相似文献
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以硝酸锌为原料,CTAB和硝酸钾为电沉积添加剂,以导电石墨板为对电极,采用方波电位沉积的方法在氧化锡铟(ITO)导电玻璃基底上制备出透明的ZnO薄膜,采用X射线衍射、原子力显微镜和光学透过谱等技术对不同沉积条件下薄膜的结晶特性、表面形貌、光学性质等进行了研究,结果表明,应用方波电位法制备氧化锌薄膜的优化条件为:沉积时间6min、Zn(N03)2、浓度0.05mol/L、沉积温度为80℃、退火温度500℃。制备的ZnO薄膜在可见光范围内的平均透光率〉85%,且表面平整度高,晶粒尺寸较小。 相似文献
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