排序方式: 共有32条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
首先分别利用直流电学法、脉冲电学法和微区拉曼光谱法测量了晶格匹配InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度,然后评估了各类评估方法的准确性。结果表明:直流电学法获得的温度值远低于拉曼光谱法,严重低估了HEMT工作时的沟道温度;脉冲电学法获得的温度值有所提升,但受限于水平空间分辨率,平均了源极-漏极之间的温度;微区拉曼光谱法能够准确获得沟道最高温度,但测量过程复杂,不适合评估封装器件。最后,提出了一种基于微光显微镜(EMMI)技术的微光电学法,获得了沟道温度的三角分布关系,得到了与拉曼光谱法一致的实验结果。该评估方法适合于实际生产。 相似文献
2.
TiAlN基涂层具有良好的力学和抗氧化性能,因此,在典型的机械部件,如航空发动机压气机叶片、切削刀具和精密模具等表面防护领域得到广泛应用。然而,随着机械部件性能要求的不断提升,涂层的服役条件愈加苛刻,防护涂层的可靠性和服役寿命受到更为严峻的挑战。在TiAlN涂层中添加前过渡族元素以提高涂层的综合性能是有效提高涂层防护效果、延长涂层使用寿命的重点研究方向之一,而元素的选取和成分的确定对涂层的结构优化和性能提升至关重要。本工作从TiAlN涂层材料出发,结合相图详细论述前过渡族元素X(X=V,Cr,Y,Zr,Nb,Mo,Hf,Ta,W)的添加对TiAlN涂层结构和性能的影响,进而探讨TiAlXN涂层的成分-结构-性能关系。针对在TiAlN涂层中添加前过渡族元素面临的缺乏相图计算辅助、四元涂层在极端环境下的失效行为、涂层制备设备成本较高等问题,提出结合相场模拟开发TiAlXN体系四元相图、发展TiAlN基高熵涂层以及结合气相沉积技术的优势大力发展涂层制备技术等展望。 相似文献
3.
介绍了除砂旋流器的试验流程,对影响除砂旋流器分离效率的几个因素进行了详细的试验研究,分析了入口流量、压力和底流口直径对分离效率的影响。 相似文献
4.
5.
在图形化蓝宝石衬底上制备了串联结构的氮化镓(GaN)高压发光二极管(LED),分别在极小电流与极低温度下研究了其光电特性。结果表明,在极小电流区(I<1×10-8 A),主要输运机制为缺陷辅助隧穿。由于能带热收缩效应和辐射复合中心的热激活效应,随着温度升高,电致发光(EL)峰发生红移,半高宽(FWHM)增加;光输出强度与注入电流呈幂指数关系,表明极小电流下非辐射复合占主导,且载流子通过缺陷辅助隧穿至量子阱。在极低温度下(T~40 K)仍能观测到电致发光现象,表明载流子并未被完全冻析,在强场下可由施主态或受主态通过缺陷辅助隧穿至量子阱;随着注入电流增加,注入电荷的库伦电场对极化电场的屏蔽作用增强,导致发光峰发生明显的蓝移,能带填充效应则导致半高宽增加。 相似文献
6.
本文在明确混合式教学内涵的基础上,通过结合结构主义教学、发展性教学等经典教学理论和OBE教学理念、布鲁姆认知理论等,针对教学内容构建了三层评价指标体系,同时结合教学内容和线上线下教学特征,进行三维分区评估,得出了量化的线上线下分配及教学策略建议,并通过实践课程案例的应用验证了研究的实用性,以期能够为混合式课程的建设提供参考。 相似文献
7.
8.
乘用车排气系统挂钩位置的布置 总被引:1,自引:0,他引:1
利用Hypermesh作为前处理软件对乘用车排气系统建立有限元模型;然后利用MSC.Nastran软件,根据模态分析理论与平均驱动自由度(ADDOFD)法计算出排气管系统的自由模态,在此基础上,将各阶模态振型加权后求和,得到ADDOFD最小位置点,作为挂钩潜在位置点;最后结合排气系统的实际位置对排气系统的挂钩位置进行优化。 相似文献
9.
云纹是我国古代装饰纹样中独具魅力的瑰宝,卷云纹是其中重要的一支,不仅具有很高的艺术价值,对当代的艺术设计实践也有着深远的启示作用。因此,对其进行归类分析从而发现云纹图案中蕴含的艺术思想、造型手法,无论是对于文化艺术研究还是对于聚类算法研究都具有重要意义。针对云纹图案变化繁复、人工分类效率低下的问题,提出一种基于自适应阈值近邻关系传递的多子类中心近邻传播聚类算法(ANP-MEAP),结合形状上下文特征(SC)提取算法对云纹图案的自动分类进行了有益的尝试。实验显示了结合SC特征的ANP-MEAP算法进行云纹图案自动分类的可行性和优越性。本文提出的云纹图案聚类算法,对于其他传统艺术图案的聚类分析也具有很好的借鉴意义。 相似文献
10.
研究了氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)发生Kink效应的物理机制,并进行了实验测试。测试结果表明,当第一次扫描、漏极电压较大时,扩散进入耗尽区的电子在高场作用下形成热电子,碰撞电离出深能级施主态中的非平衡电子,第二次扫描的Kink效应减弱。当第一次扫描、漏极电压较小时,扩散进入耗尽区的电子被浅能级缺陷态捕获,第二次扫描的Kink效应增强。在开态下,增大反向栅极电压,可减小沟道电子浓度,进而减小电子捕获效应,Kink效应减弱。在半开态和闭态下,Kink效应不显著。最终得出,GaN缓冲层内类施主型缺陷态对沟道电子的捕获和热电子辅助去捕获,是Kink效应发生的主要原因。 相似文献