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用热蒸发法和磁控离子射频溅射法制备了ZnS薄膜,利用X射线衍射技术对据 薄膜的结构相特性进行了研究,为研制高效的光电材料提供依据。 相似文献
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利用扫描电子显微镜(SEM)研究了在选择外延MOVPE生长InGaAsP材料中,厚度增强因子随SiO2掩模宽度的变化,生长条件(如生长压力、Ⅲ族源流量等)对厚度增强因子的影响.随着生长压力的增加,生长速率下降,选择性增强;随着In源流量的增加,生长速率上升,选择性下降.制备了最大厚度增强因子达3.4的InGaAsP体材料.通过扫描电镜观察,得到了较平坦的生长界面和表面形貌.为用选择生长法制备DFB激光器与模斑转换器集成器件提供有效的方法.(OH12) 相似文献
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