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硅基微带天线存在损耗大、效率低、增益不足等问题。其成因在于以下五种损耗:1.金属贴片及匹配微带线的导体损耗。2.介质的介电损耗。3.表面波损耗。4.半导体基底的电阻性损耗。5.由基底与绝缘层交界面上的载流子运动导致的界面损耗。在深入分析各种损耗的形成机理的基础上,研究了相应损耗的计算模型及其在总损耗中所占的地位,并提出了降低损耗的有效途径。实验结果显示,采用微机械(MEMS)工艺,在高阻硅与低介电常数介质的混合衬底上,生长一层多晶硅薄膜的方法,可有效降低损耗,使硅基微带天线单元的效率达到87%,增益达到8dB。 相似文献
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