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A novel wet vapor photoresist stripping technology is developed as an alternative to dry plasma ashing and wet stripping.Experiments using this technology to strip hard baked SU-8 photoresist,aurum and chromium film are carried out.Then the images of stripping results are shown and the mechanism is analyzed and discussed. The most striking result of this experiment is that the spraying mixture of steam and water droplets can strip photoresist and even metal film with ease. 相似文献
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简要介绍了随着工艺节点的缩小,传统RCA清洗方法在硅片清洗工艺中的局限性和弊端,进而提出了以CO2为介质的新型干冰微粒喷射清洗方法。从CO2的物理特性出发,论述了CO2流经喷枪后形成干冰微粒的机理,并简要分析了干冰微粒喷射技术对颗粒污染物和有机污染物的清洗机理。在此基础上,介绍了自主研发的一台基于干冰微粒喷射技术的半导体清洗设备,对该设备的结构和各部分的作用作了简要介绍,论述了使用该设备对硅片进行清洗的工艺流程。通过对比实验发现,采用压强为8 MPa、纯度为5N的CO2作为气源,喷嘴前压强设置为11 MPa,使用该设备可以达到很好的清洗效果。 相似文献
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The multi-SCCO2(supercritical carbon dioxide)release and dry process based on our specialized SCCO2 semiconductor process equipment is investigated and the releasing mechanism is discussed.The experiment results show that stuck cantilever beams were held up again under SCCO2 high pressure treatment and the repeatability of this process is nearly 100%. 相似文献
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绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备 总被引:1,自引:0,他引:1
传统半导体清洗技术无法对硅片上的微小器件间的缝隙和线条进行有效清洗,以超临界二氧化碳为媒体的清洗技术则可克服上述缺点。超临界二氧化碳具有零表面张力、低黏度、强扩散能力和溶解能力等特性,并且无毒无臭、可以循环使用,在下一代半导体清洗和清洗后的干燥过程中有极强的应用前景。提出了一种绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备,它可实现超流体清洗和超临界干燥,二氧化碳循环使用,属于新型高效的下一代绿色半导体清洗设备。 相似文献
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将非金属元素碘作为硅的KOH腐蚀液的添加物,在对(100)和(110)单晶硅片的各向异性腐蚀中,获得了更为丰富的异向腐蚀特性和更为光滑的腐蚀表面。当温度在95℃,KOH腐蚀液中碘的摩尔比为0.5时,得到了粗糙度均小于10nm的Si-(100)和(110)光洁表面,两晶面的腐蚀速率均为1.4μm/min。这两晶面在相同的条件下同时达到最佳光洁度,说明腐蚀速率是获得高光洁度表面的关键。实验还证明碘在热碱溶液中的稳定性和持久性要高于现在已被大量研究的双氧水和过硫等,尤其是对硅(110)表面光洁度的改善具有积极的促进作用。 相似文献
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针对电容薄膜真空计的电容检测精度要求高以及非线性的问题,文中设计了一种基于二极管桥的检测电路。该电路检测电容薄膜真空计的测量电容与参考电容的差值,能有效抑制共模噪声的干扰,并采用负反馈的方法对非线性进行补偿。仿真表明负反馈的方法能够有效降低真空计的非线性,在仿真数据上非线性度从7.27%降低到0.662%。实际测试结果表明该电路能准确地检测电容,电路灵敏度为1.85 V/pF,非线性度为0.4%,电路稳定性较好。 相似文献