排序方式: 共有39条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
3.
采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了β-FeSi2基态的几何结构、能带结构和光学性质.能带结构计算表明β-FeSi2属于一种准直接带隙半导体,禁带宽度为0.74eV;其能态密度主要由Fe的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的β-FeSi2材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质计算结果,复介电函数的计算结果表明β-FeSi2具有各向异性的性质;吸收系数最大峰值为2.67×105 cm-1. 相似文献
4.
本文主要从设备的分类、管理制度、管理系统及考核方面针对燃气企业设备的统一管理进行了探讨,为做好燃气设备管理,保障燃气企业的安全运行提供参考. 相似文献
5.
本文主要从设备的分类、管理制度、管理系统及考核方面针对燃气企业设备的统一管理进行了探讨.为做好燃气设备管理,保障燃气企业的安全运行提供参考。 相似文献
6.
7.
采用机械合金化(MA)和真空热压烧结(HP)法制备金属间化合物Fe3Si。X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、差热分析(DTA)和振动样品磁强计(VSM)分别用于分析化合物的物相、显微形貌、致密度和磁学性质。研究表明球磨55h可达到完全合金化,Si溶入Fe中形成饱和固溶体α-Fe(Si),晶粒尺寸约7~8nm。热压烧结后,α-Fe(Si)固溶体发生有序转变生成Fe3Si。磁性能测量表明:样品的矫顽力随烧结温度的升高而减小;随烧结时间的延长而减小;饱和磁化强度随烧结时间的延长而增大。 相似文献
8.
研究了一种新型双埋氧绝缘体上硅(DSOI)NMOSFET的自热效应(SHE).通过实验测试并结合计算机数值模拟分析了SHE对DSOI NMOSFET输出特性的影响.仿真结果显示DSOI NMOSFET的背栅引出结构形成了额外的散热通道.重点研究了器件电压和环境温度对SHE的影响,结果表明随着漏极和栅极电压的增加,器件体区晶格温度升高,SHE增强;随着环境温度的升高,退化电流降低,SHE减弱.此外,重点分析了背栅偏置电压对器件SHE的影响,研究发现负的背栅偏置电压对全耗尽绝缘体上硅和DSOI NMOSFET的SHE均表现出抑制效果,且DSOI NMOSFET的背栅展现出了更好的抑制效果. 相似文献
9.
针对现有空中手写技术存在的不足,提出了一种改进方案.增加初始化设置环节,利用惯性传感器进行数据采集,以"激光-平面定位法"实现远距离空间坐标的获取,并将数据实时传输至电脑端进行处理.增加了现有技术未考虑到的显示屏幕与电子笔的实际空间大小、相对位置和指向等数据的获取,并建立这些数据之间的对应关系,实现电脑光标与手写笔笔尖... 相似文献
10.