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基于先进逻辑CMOS工艺平台,构建了集成电路热耦合模型,为后端金属线电迁移预测提供更精确的温度变化和分布信息。在建模过程中,为了提高建模和仿真效率,对金属线网络和晶体管有源区进行简化,并用热传输比率对热耦合进行表征。考虑到晶体管参数、金属线走向、金属线之间相对位置对热传输比率的影响,模型中引入相关因子对热传输比率做进一步修正。最后,将该热传输模型嵌入到商用仿真软件中。结果表明,热传输比率(即温度)的仿真值与基于工艺平台流片的实测值吻合良好,验证了模型的准确性。 相似文献
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通过结合BSIMCMG模型与负电容(NC)模型,构建了NC-FinFET模型。基于所建立的NC-FinFET模型,推导分析了其等效电容模型。利用Hspice对NC-FinFET的器件特性进行了系统仿真与分析。结果表明,与FinFET相比,NC-FinFET在电学特性上有更加明显的优势,亚阈值摆幅更低。此外,分析了铁电材料的厚度对亚阈值摆幅及栅压放大倍数的影响,以及衬偏电压对NC-FinFET性能的影响,为在NC-FinFET中降低功耗和抑制寄生效应提供了理论依据和解决思路。 相似文献
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