LYVE-1 在甲状腺乳头状癌的表达和意义

目的 观察淋巴管透明质酸受体1（LYVE-1）的表达和癌周组织中淋巴管的生成情况在甲状腺恶性肿瘤的变化及转 移中的作用。方法 应用免疫组织化学和real-time PCR方法检测45 例甲状腺乳头状癌中央区、癌周边区和正常甲状腺组织中的LYVE-1及其mRNA 表达情况,并计算淋巴管密度（LVD）。结果 甲状腺乳头状癌周边区LVD 高于甲状腺乳头状癌中央区,而正常组织中很少见LYVE-1 阳性的微淋巴管;甲状腺乳头状癌周边区LVD 与淋巴结转移有密切关系（P＜0.05）。结论 LYVE-1是一种特异性较高的淋巴管内皮特异性标志物,对淋巴管生成促进甲状腺乳头状癌的淋巴结转移。     

Syntheses and Crystal Structures of Two Tin(Ⅳ) Complexes with Aminosilane Bearing Ligand

Aminosilane bearing bulky substituents on nitrogen: LH2(L=Me2Si(NDipp-)2 , Dipp=2,6-diisopropylphenyl) was reacted with BuLi in toluene. The resulting bulky chelating dianion Me2Si(NDipp-)2 was used to synthesize the unusual spirocyclic heterotriatomic complex [Me2Si(NDipp)2]2Sn (1) by its reaction with SnCl4 and the bulky heterotriatomic complex Me2Si(NDipp)2SnPh2 (2) with Ph2SnCl2.1 belongs to the monoclinic system, space group P21/n with a=13.193(2), b=20.663(3), c=20.403(3), β=99.954(2)o, V=5478.3(15)3 , C55H85.5N4Si2Sn, Mr=977.64, Z=4, Dc=1.185Mg/m3 , μ(MoKα)=0.547mm-1 , F(000)=2086, S=1.000, the final R=0.0614 and wR=0.1322 for 14446 observed reflections (I2σ(I)) and R=0.0797 and wR=0.1456 for all data. 2 belongs to the triclinic system, space group Pī with a=10.36(15), b=13.204(7), c=14.363(7), α=90.214(10), β=106.182(7), γ=109.854(8)o, V=1764.4(15)3 , C38H50N2SiSn, Mr=681.58, Z=2, Dc=1.283 Mg/m3 , μ(MoKα)=0.785 mm-1 , F(000)=712, S=1.002, the final R=0.0498 and wR=0.0955 for 7533 observed reflections (I2σ(I)) and R=0.0676 and wR=0.1018 for all data. In the structure of 1, the tin atom is located in the spirocyclic center of the two fused four-membered SnN 2 Si rings. The two complexes were characterized by 1H NMR, elemental analysis, and single-crystal X-ray structural analysis.     

高能氩离子辐照硅产生的缺陷研究

在室温下750MeV氩离子对本征单晶硅进行辐照,通过用正电子湮没寿命测量技术、电子顺磁共振技术以及红外光吸收方法研究了辐照产生的缺陷.结果表明:电中性双空位是辐照产生的主要空位团;在4.3×10¹⁴ions/cm²的高剂量下未见样品发生非晶化转变;虽然在离子射程末端双空位的浓度随剂量的增加而显著增大,但在以电离激发过程为主要能损方式的区域里双空位的浓度基本不变.据此可以认为,电子能损过程对辐照产生的缺陷有退人作用.     

喷雾热解法制备的SrWO4膜的阴极射线发光

利用超声喷雾热解法制备了钨酸锶SrWO₄多晶发光膜,并研究了制备条件及掺杂对其阴极射线发光特性的影响.生成的发光膜在300℃以上退火后具有白钨矿结构,其阴极射线发光为一宽带的蓝光,包括一个位于448nm的蓝色发光带和一个位于488.6nm的蓝绿色发光带,是由阴离子络合物WO₄^2-的电荷转移跃迁引起的.发光强度随着退火温度的升高而增强,而退火气氛对其影响不大.在SrWO₄膜中掺入银离子Ag⁺和镧离子La³⁺后,不影响其发光特性,但铕离子Eu³⁺的掺入对发光特性有影响.     

15.14MeV/u 136Xe离子引起的单粒子效应

研究了15.14MeV/u ¹³⁶Xe离子在不同批次的32k×8bits静态存储器中所引起的单粒子效应.获得了单粒子翻转和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系.将单粒子效应截面与灵敏区中沉积的能量相联系,而不是线性能量转移(LET)值.估计了灵敏体积的深度和死层的厚度.     

稠油油藏边水侵入通道特征参数计算模型

含边水的稠油油藏受边水侵入的影响,在开发过程中会出现边水指进现象致使油井过早水淹,高效稳定生产难以维持.准确的计算出边水侵入通道的体积和孔径大小是完成高效堵水必须解决的关键问题.采用油藏工程和数值模拟方法,分别建立见边水井的优势体积比、优势渗透率比和优势产液比三者之间关系,将两种方法得到的关系曲线进行耦合求解,得到边水侵入通道发育的体积和孔径大小.利用该方法,对BQ67区块主力油层13口见边水井侵入通道体积和孔径大小进行了实例计算,与现场示踪剂测试资料进行对比,符合率大于80%,表明该方法计算稠油油藏边水侵入通道体积和孔径大小的精度较高,且方法简便,易于操作和推广.     

CrN镀层的微粒磨损性能及其切削行为研究

在Teer UDP 550型闭合场非平衡磁控溅射离子镀设备上制备CrN镀层,以球-盘方法测定的比磨损率和微粒磨损法测定的微粒磨损率评价CrN镀层的耐磨性能,采用高速钢镀层钻头的钻孔数评价镀层的切削性能.结果表明,CrN镀层的微粒磨损率对氮流量(用光谱发射因子OEM值控制)的变化很敏感,而比磨损率却不能反映这种由于氮流量变化带来的镀层结构和性能的变化.在不同偏压条件下所制备的镀层微粒磨损率变化不明显.当微粒磨损率低于某一值时,CrN镀层的钻孔寿命明显提高,而比磨损率则无此规律.     

量纲分析与量值分析

本文指出量细分析方法在物理学中的重要地位，同时又阐明量纲分析不能代替量值分析，讨论了某些书中关于雷诺数Ｒｅ物理意义的不恰当提法．     

III-V族化合物半导体材料的高能重离子辐照效应

用高能（５００ＭｅＶ）Ｎｅ离子束对ＧａＡｓ和ＩｎＰ进行了辐照，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟、正电子湮没谱学以及红外光谱研究了辐照产生的缺陷特性．结果表明，在未辐照的样品中存在单空位，经辐照后，可在样品中产生单空位；当剂量较大时，还会形成双空位甚至尺寸较大的空洞．红外光谱测量发现，在辐照后的ＧａＡｓ样品中有非晶区形成．此外，辐照在样品中还产生了反位缺陷ＧａＡｓ和ＩｎＰ以及受主杂质ＺｎＩｎ．对经１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２剂量辐照的ＩｎＰ进行了光学实验，在辐照后的ＩｎＰ材料中发现了亚稳态中心． Both GaAs and InP were irradiated by high energy (500 MeV) Ne ions. The Monte Carlo simulation, positron annihilation and IR spectroscopy were used to study the radiation induced defects. The result showed that monovacancies existed in as grown samples, but more monovacancies were introduced, after Ne ions irradiation, and with increasing radiation dose, divacancies were formed, and eventually large voids were observed. The IR measurement for irradiated GaAs samples confirmed the...