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反相微乳液法制备高溶度ZrO2陶瓷墨水(Ⅰ) 总被引:7,自引:0,他引:7
尝试采用新颖的反相微乳液法制备陶瓷墨水,为了获得高溶度陶瓷墨水,对反相微乳液体系优选进行研究,着重就Triton x-100/醇/烷/水体系,采用目测法,分光光度法,电导率法和离心分离法,分别考察了不同醇,烷配伍时体系的稳定性和相关物理性质,根据这些性质是否突变以确定体系是否发生相变,给出了体系拟三元相图。实验表明,在20℃时Triton x-100/正己醇/环己烷/水反相微乳液体系表现优异,当Triton x-100与正醇的质量比为3:2时达到最大范围的反相微乳液区,最大溶水量时的最佳组成为Triton x-100:正己醇:环己烷:水=19.1%:12.8%:23.7%:44.4%(质量比)。 相似文献
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依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连技术,研制了RTD/HEMT串联型RTT,并对RTT及RTT中RTD和HEMT的直流特性进行了测试.测试结果表明:在室温下,器件具有明显的栅控负阻特性,正接型RTT的最大峰谷电流之比在2.2左右,反接型RTT的最大峰谷电流之比在4.6左右.实验为RTD/HEMT串联型RTT性能的优化和RTD/HEMT单片集成电路的研制奠定了基础. 相似文献
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采用物理气相输运(PVT)法生长了直径为50 mm的K掺杂CdS晶体,对掺杂和未掺杂的CdS晶片进行显微观察、二次离子质谱(SIMS)成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺杂对CdS晶体光学及电学性能的影响.生长时用KCl进行掺杂.显微观察显示,掺杂KCl后CdS晶体的微观形貌没有明显变化;SIMS成分测试表明,晶体中引入的杂质主要是K元素,而Cl元素未掺入晶体中.红外光谱透过率发现掺杂K元素的CdS晶体相比于未掺杂晶体,不仅在波长为2.5~ 10 μm内红外透过率显著下降,而且在波长为10μm以上时红外透过率甚至低于15%.另外,K元素掺杂CdS晶体电学性能也发生变化,晶体迁移率也由未掺杂的318 cm2/ (V·s)下降为146 cm2/ (V·s). 相似文献
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反相微乳液法制备高溶度ZrO2陶瓷墨水(Ⅱ) 总被引:10,自引:0,他引:10
对喷墨打印成型用ZrO2陶瓷墨水的反相微乳液制备法进行了研究.采用已经优化的Triton x-100/正己醇/环己烷/水反相微乳液体系, 以氧氯化锆溶液和氨水溶液分别替代水, 获得了澄清的微乳液, 再将它们均匀混合反应制得了均匀分散、微粒尺寸7~8 nm、稳定存在的ZrO2陶瓷墨水.针对喷射打印墨水的理化性能要求, 考察了所制备的ZrO2陶瓷墨水的理化性能(流变性能、表面张力、电导率、稳定性等), 并对性能改善进行了探讨.所制两个陶瓷墨水当pH<8时, 电导率分别为20 mS/m和35 mS/m, 表面张力分别为21.6 mN/m和34.3 mN/m左右, 粘度为25 mPa*s和32 mPa*s, 且无剪切增稠效应.这些结果说明所制陶瓷墨水的性能指标基本满足非连续式打印机要求.从透光率测试结果表明所制陶瓷墨水属反相微乳液. 相似文献
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目前在实施分切打叶时主要存在3个问题,即传统的铺叶切断设备无法满足分切打叶工艺精确控制烟叶分切比例的要求,以及如何提高叶基烟叶的打叶效率与非叶基烟叶的风分效率.为此,对目前国内使用的分切打叶工艺与设备进行了研究,确定在分切打叶中使用烟叶智能定位装置控制烟叶的分切比例,采用吹式打叶技术提高叶基烟叶的打叶效率,采用分流式风分技术提高非叶基烟叶的风分效率.试验结果表明,分切打叶工艺设备与传统全叶打叶机组相比,以中部烟为例,出片率提升0.42%,大中片率提升2%左右,碎片率降低0.4%,有助于烟叶的充分利用和纯化烟叶品质. 相似文献
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本文通过对钻井公司人力资源的主要存在的问题进行分析,提出提升人力资源管理人员的专业素质,做好人才培训工作,增强工作的计划性,建立科学的绩效管理制度和激发个人潜力的发展对策,从而提高企业的人力资源管理水平,促进企业发展。 相似文献
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本文对生活污水处理厂污泥的酸洗缓蚀有效成分进行了提取,利用失重法对盐酸介质中污泥提取液对碳钢的缓蚀效果进行了研究。结果表明:污泥在质量浓度为5%的盐酸中,温度为80℃,液固比为6∶1,提取时间为2 h的条件下提取得到的提取液对碳钢具有较好的缓蚀效果。在提取液用量为10%时对碳钢的缓蚀率为87.9%,经复配后缓蚀率可达91.1%,可在工业应用方面有较好的前景。脱水污泥提取液的缓蚀性能优于未脱水污泥提取液的缓蚀性能。超声波处理会对污泥提取液的缓蚀性能产生影响。在对污泥进行酸洗缓蚀剂的开发利用时,可先提取胞外聚合物后再进行,可实现污泥的高价值综合利用。 相似文献
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研究了SiC上AlN晶须的气相生长技术.通过对生长温度和压力的调控,获得了六方柱状、台梯状和条带状三种形貌的AlN晶须.柱状晶须长度可达35 mm,直径lμm左右.通过扫描电镜和XRD分析,探讨了AlN晶须形态、结晶取向和生长条件之间的关系.低温、低压、较高饱和度条件下,AlN晶须沿[0001]方向生长,发育为六方细柱.随着生长温度提高,AlN晶须的优先生长面转向{1-102}面,形貌变为笔直的台梯状.继续增加压力,{10-10}面成为优先生长面,晶须呈现卷曲的条带状. 相似文献