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通过B2O3蒸汽掺杂,钛酸钡晶胞膨胀,表明硼离子可以进入钛酸钡晶格中形成硼间隙。B2O3蒸汽掺杂使含Y钛酸钡陶瓷室温电阻率下降,升阻比提高。同样的烧结条件下,钛酸钡陶瓷的PTCR效应随B2O3蒸汽掺杂源的浓度升高而升高。硼间隙和/或相关缺陷络合物可以形成电子捕获中心,从而提高PTCR效应。 相似文献
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Bi2O3蒸汽掺杂的Ba1—xSixTiO3半导化陶瓷的PTCR效应 总被引:3,自引:2,他引:1
施主掺杂的钛酸钡陶瓷的PTCR效应来源于晶界上的钡空位。在Bi2O3蒸汽两次掺杂的样品中发现了大于8个量级的PTCR效应。在烧成过程中的Bi2O3蒸汽掺杂时,高氧分压下可以产生更高的钡空位浓度,因而样品具有更高的PTCR效应。 相似文献
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分别采用钛酸四丁酯(无水乙醇作为溶剂)和稳定的四氯化钛(蒸馏水作为溶剂)为两种钛源,以加糖热解法[1]在不同的温度下处理得到二氧化钛粉体,并利用扫描电镜和X射线衍射对粉体微观结构和晶型进行分析.结果表明,两种制备方法得到的粉体晶粒尺寸均一,在50 nm左右.而锐钛矿和金红石型的成相温区存在明显差异:前者在300到500℃之间合成出较纯的锐钛矿相,600到700℃之间完成锐钛矿到金红石型的晶相转变;后者300℃就已经形成较好的锐钛矿结晶相,晶相转变发生在700到900℃之间.而两种方法的成相温度均低于一般方法. 相似文献
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施主深度为PTCR效应的关系,一方面受各种杂质乃至助烧剂影响而变得复杂化;另一方面也被很多作者所忽视。然而,这一关系可以在定程度上映射出PTCR效应的本质。海望曾指出,在BaTiO3材料中,晶界上过剩施主的堆集,能够形成晶界层中高深度的表面受主态,从而使材料PTCR效应迅速提高。尽管海望的表面受主态模型被广为接受,然而,我们研究了Sm2O3掺杂的BaTiO陶瓷中掺杂浓度与PTCR效应的关系,结果表明:随着稀土掺杂量的提高,材料的升阻比隆低。采用其他稀土元素,也得到相同的结果。因此,PTCR效应应当来源于在铁电相变点,晶界层中电子陷阱中性钡缺位被激活俘获自由电子;过剩施主的增加只能增加材料的室温电阻率,而不能提高PTCR效应。 相似文献
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施主浓度与 PTCR效应的关系 ,一方面受各种杂质乃至助烧剂影响而变得复杂化 ;另一方面也被很多作者所忽视。然而 ,这一关系可以在一定程度上映射出 PTCR效应的本质。海望曾指出 ,在 Ba Ti O3材料中 ,晶界上过剩施主的堆集 ,能够形成晶界层中高浓度的表面受主态 ,从而使材料 PTCR效应迅速提高。尽管海望的表面受主态模型被广为接受 ,然而 ,我们研究了 Sm2 O3掺杂的 Ba Ti O3陶瓷中掺杂浓度与 PTCR效应的关系 ,结果表明 :随着稀土掺杂量的提高 ,材料的升阻比降低。采用其他稀土元素 ,也得到相同的结果。因此 ,PTCR效应应当来源于在铁电相变点 ,晶界层中电子陷阱中性钡缺位被激活俘获自由电子 ;过剩施主的增加只能增加材料的室温电阻率 ,而不能提高 PTCR效应 相似文献
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利用高温固相法制备了蓝色长余辉材料β-Ga2O3: B3+. β-Ga2O3: B3+在 260 nm紫外光辐照5分钟后,撤去紫外光,在380-600nm光谱范围内呈现宽带的蓝色余辉,余辉时间超过0.5小时。通过激发光谱,发射光谱,余辉衰减曲线,热释光谱等实验手段对样品进行表征。实验结果表明,B3+的掺入能够提高β-Ga2O3的发光性质。β-Ga2O3: 80% B3+的热释光谱表明B3+的掺入能够增加陷阱数目及陷阱深度。 相似文献
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