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比较空心微球表面化学镀Ni薄膜的工艺.分别以Sn-Pd胶体溶液和[Ag(NH3)2]+溶液作为活化剂,将空心微球表面进行活化,再采用化学镀的方法分别在其上淀积金属Ni薄膜.使用扫描电子显微镜(SEM)、能量色散光谱(EDS)和X-射线衍射光谱(XRD)对两种工艺所镀Ni薄膜的表面微观结构和组分进行表征.结果表明:用Sn-Pd胶体溶液活化后的空心微球表面淀积了均匀、致密的金属Ni薄膜,该薄膜是由大小约100 nm的颗粒组成;而以[Ag(NH3)2]+溶液活化后的空心微球表面淀积的金属Ni薄膜,是由大小约1 μm的颗粒组成.并分析了这两种镀层形成的机理. 相似文献
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采用燃烧合成法,以硅粉和炭黑为原料、固态氮化剂α-Si3N4为掺杂剂及聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)为化学活性剂,制备N掺杂的β-SiC粉体吸收剂。通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜对燃烧产物进行了表征。结果表明:PTFE含量为10wt%时,燃烧产物中β-SiC的纯度较高,具有较好的颗粒形貌。利用矢量网络分析仪测试了样品在8.2~12.4GHz频率范围的微波介电常数,10wt%PTFE样品显示了最大的介电常数实部ε′、虚部ε″和损耗角正切tanδ。 相似文献
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采用凝胶–燃烧法合成了掺Eu3+的Y3Al5O12(YAG:Eu3+)荧光粉。分别采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、发光光谱等测试手段分析了不同温度下煅烧所得粉体的物相、形貌与发光性质。XRD和SEM结果表明:YAG:Eu3+的最低合成温度为900℃,并且在该反应过程中没有中间相YAP(YAlO3)和YAM(YAl)的产生。1 100℃合成的晶粒尺寸比较均匀,平均粒径在90 nm左右。发光光谱的测试表明:在592 nm监控下的真空紫外激发光谱由峰值位于147、156、169nm和214nm的系列激发带组成,其分别归属于铝酸根的基质吸收以及Y3+和Eu3+的电荷迁移带吸收。在147nm激发下YAG:Eu3+荧光粉最强发射峰位于592nm处,属于Eu3+的5D0→7F1跃迁。Eu3+在基质中的最佳掺杂摩尔分数为4%。 相似文献
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分析了国内外物联网安全政策、技术、标准、产业等形势,重点强调了当前我国物联网发展中存在的安全风险,包括大连接环境下的设备风险、物联网网络本身安全风险以及物联网上承载的各类应用安全风险,提出了打造以密码为核心的物联网安全体系,加速新技术在物联网安全的应用,以新基建为契机建立物联网领域安全设备泛在化部署新体系,以多层次立体式理念确保物联网安全,呼吁供给侧需求侧建立安全协同新机制,共同促进物联网产业安全可持续发展。 相似文献
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零维纳米Fe2O3粉体的制备与吸波性能的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
使用不同的化学共沉淀法制备零维纳米γ-Fe2O3和α-Fe2O3粉体,通过比表面测试、透射电镜(TEM)和X-射线衍射(XRD)分析其结构,并在10GHz的频率下测试了它们的微波吸收性能。结果表明:实验制备得到了零维纳米γ-Fe2O3和α-Fe2O3粉体,在10GHz的频率下γ-Fe2O3的微波吸收性能比α-Fe2O3要好。 相似文献
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以硅粉和炭黑为原料,利用燃烧合成法,在0.1MPa 的N_2气氛下合成了β-SiC粉体.对其进行拉曼光谱和SEM表征,结果表明:合成的SiC为含有C反位缺陷C_(si)和石墨态sp~2C的富C β-SiC固溶体.添加剂聚四氟乙烯(PTFE)含量为10%时合成的SiC粉体为等轴状团聚颗粒,粒径约为0.2μm,随着PTFE添加量的增加,SiC粉体颗粒的平均粒径增大.在8.2~12.4 GHz频率范围对所合成SiC的介电常数进行测试,发现15%PTFE时合成的SiC粉体具有较好的介电常数实部ε'、虚部ε"和介电损耗tanδ,对其微波损耗机理进行了讨论. 相似文献
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