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脉冲直流PCVD技术在盲孔底部沉积Ti-Si-N薄膜 总被引:3,自引:0,他引:3
用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术在盲孔的底部获得Ti-Si-N薄膜。用扫描电子显微镜(SEM),X射线能量色散谱仪(EDX),X射线衍射仪(XRD),球痕法(ball-Crater),显微硬度计(Hv)和涂层压入仪(Pε)分析不同肓孔深度处薄膜的微观结构和力学性能。结果表明,随着盲孔深度的增加,Ti-Si-N薄膜中Ti与Si元素相对比例降低,薄膜厚度下降,薄膜与基体的结合强度有很大提高,膜基复合显微硬度下降,而薄膜的本征硬度在盲孔深度为20mm处出现最大值。 相似文献
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东方红大轮拖SZ804下拉杆材料60Si2Mn,形状为板条状,技术要求HRC37~42要求校平,生产中出现淬火硬度不足及校平中多次出现断裂情况,这个问题长期困扰着我们,通过改进工艺把原来油淬改为水淬,增加回火时间,消除淬火应力。有效地控制了淬火硬度不足,校平断裂等,使问题得到了解决。 相似文献
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地基是房屋建筑的基础,一旦地基出现问题,就会直接影响到房屋建筑工程的质量。因此,若要在软土地基上建设构造物,就必须对软土地基采取一定的处理措施,增强地基强度,使其达到建筑物所需的承载能力,以确保建筑物的安全。 相似文献
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在弹簧管式压力表的检定规程中,规定了因温度的变化、安装位置的差异等诸多因素引起的附加误差和修正方法.其中,有的误差是已定系统误差,可以修正;有的则因不能确定误差的大小,也无法确定其修正量,只能尽量控制减少,以达到准确测量的目的.因此,在使用中对这些误差的因素及有关使用事项应加以注意. 相似文献
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泡沫陶瓷由于具有一系列优异的性能,使得其应用范围越来越广泛,其制备方法也在不断地发展.先驱体转化法制备泡沫陶瓷是20世纪末才出现的一种新型工艺.它具有制备温度低、陶瓷组成和结构町设计、容易成型复杂构件等优点,成为目前泡沫陶瓷制备方法中的一个研究热点.根据泡沫陶瓷制备过程中成孔原理的不同,先驱体转化法制备泡沫陶瓷大致町以分为三类:(1)直接发泡法;(2)有机泡沫浸渍法;(3)添加造孔剂法.本文详细地介绍了由这三类先驱体转化法制备泡沫陶瓷的研究现状,并分析了其优缺点以及亟待解决的问题. 相似文献
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研究了射频等离子体辅助化学气相沉积获得的Ti-B-N薄膜的微观组织结构和力学性能.结果表明:B的加入使Ti-B-N薄膜中出现TiN纳米晶、BN非晶和TiB2非晶(nc-TiN/a-BN/a-TiB2)的复相结构.Ti-B-N薄膜组织致密,晶粒细小,薄膜硬度显著提高.用球盘式磨损实验考察了薄膜的摩擦学特性.与TiN相比,Ti-B-N薄膜抗磨损性能有显著提高,磨损机制为微观切削与疲劳磨损共同作用,但摩擦系数较TiN稍高. 相似文献